|
NNCD3.3B даташитФункция этой детали – «ElectrostatIC Discharge Noise Clipping Diodes 500 Mw Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NNCD3.3B | NEC |
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 500 mW TYPE DATA SHEET
E.S.D NOISE CLIPPING DIODES
NNCD3.3B to NNCD12B
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES (500 mW TYPE)
This product series is a diode developed for E.S.D (Electrostatic Discharge) noise protection. Based on the IEC1000-4-2 test on electromagnetic interference (EMI), the diode assures an endurance of no less than 30 kV. Type NNCD2.0B to NNCD12B Series is into DO-35 Package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW.
φ 0.5
25 MIN.
Cathode indication
PACK |
Это результат поиска, начинающийся с "3.3B", "NNCD3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
3.3BS | Semtech Corporation |
SILICON PLANAR ZENER DIODE |
|
3.3BSA | Semtech Corporation |
SILICON PLANAR ZENER DIODE |
|
3.3BSB | Semtech Corporation |
SILICON PLANAR ZENER DIODE |
|
C1Z3.3B | Central Semiconductor |
(C1Zxxx) SILICON ZENER DIODE C1Z3.3B THRU C1Z91B SILICON ZENER DIODE 3.3 VOLTS THRU 91 VOLTS 1.0 W, 5% TOLERANCE
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR C1Z3.3B Series Silicon Zener Diode is a high quality epoxy molded voltage regulator designed for use in industrial, commerc |
|
DTZ3.3B | ROHM Semiconductor |
(DTZ Series) Silicon Epitaxial Planar 200mW Zener Diodes
DataShee
datasheet.esom
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
et4U.com
datasheet.esom
DataShee
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
et4U.com
datasheet.esom
DataShee
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
www.D |
|
GDZ3.3B | Formosa MS |
Zener diode Zener diode
GDZ2.0 Thru GDZ56
VOLTAGE 2.0 to 56 Volts POWER 500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction • 500mW Power Dissipation • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |