|
NNCD3.3F даташитФункция этой детали – «ElectrostatIC Discharge Noise Clipping Diodes Double Type /». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NNCD3.3F | NEC |
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES DOUBLE TYPE / ANODE COMMON 3PIN MINI MOLD DATA SHEET
E.S.D NOISE CLIPPING DIODES
NNCD3.3F to NNCD12F
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES (DOUBLE TYPE, ANODE COMMON) 3PIN MINI MOLD
This product series is a diode developed for E.S.D (Electrostatic Discharge) noise protection. Based on the IEC1000-4-2 test on electromagnetic interference (EMI), the diode assures an endur-
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
0.4 –0.05
2.8 ± 0.2 1.5 0.65 –0.15
+0.1
external interface circuit protection. Type NNCD3.3F to NNCD12F Series include two elements in
0.9 |
Это результат поиска, начинающийся с "3.3F", "NNCD3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KDZ3.3FV | KEC |
Zener Diode / Rectifier SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATION. REFERENCE VOLTAGE APPLICATION.
FEATURES Small Package : TFSC Sharp Breakdown Characteristic.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL RATING
Power Dissipation Junction Temperature
PD * 100 Tj 150
Sto |
|
RD3.3F | NEC |
ZENER DIODES 1 W DO-41 GLASS SEALED PACKAGE DATA SHEET
ZENER DIODES
RD2.0F to RD82F
ZENER DIODES 1 W DO-41 GLASS SEALED PACKAGE
DESCRIPTION
NEC type RD∗∗F Series are DHD (Double Heatsink Diode) Construction planar type zener diodes possessing an allowable power dissipation of 1 watt.
PACKAGE DIMENSIONS (Unit: mm)
|
|
02CZ33 | Toshiba Semiconductor |
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATIONS. REFERENCE VOLTAGE APPLICATIONS.) |
|
02CZ33 | Toshiba Semiconductor |
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATIONS. REFERENCE VOLTAGE APPLICATIONS.) |
|
0330NRxx-x | Stetron |
Metal Oxide Varistors w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a t a
e h S
4 t e
U
m o .c
|
|
0330NRxxD | Stetron |
MNR Varistors |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |