DataSheet26.com


NNCD3.9G даташит

Функция этой детали – «ElectrostatIC Discharge Noise Clipping Diodes Quarto Type :».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NNCD3.9G NEC
NEC
  ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES QUARTO TYPE : COMMON ANODE 5 PIN MINI MOLD

DATA SHEET E.S.D NOISE CLIPPING DIODES NNCD3.3G to NNCD7.5G, NNCD27G ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES (QUARTO TYPE : COMMON ANODE) 5 PIN MINI MOLD This product series is a diode developed for E.S.D (Electrostatic Discharge) noise protection. Based on the IEC1000-4-2 test on electromagnetic interference (EMI), the diode assures an endurance of no less than 30 KV, thus making itself most suitable for external interface circuit protection. With four elements mounted in the 5 PIN Mini Mold Package, the produ
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3.9G", "NNCD3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
ZMY3.9G Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor

Surface mount Silicon-Zener Diodes (planar technology)

ZMY 1 G … ZMY 100 G (1.0 W) Surface mount Silicon-Zener Diodes (planar technology) Version 2004-05-13 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 2.5 Planare Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage 1.0 W 1…100 V DO-213AB 0.12 g see page 18 siehe Seite 18 Nomina
pdf
02CZ39 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATIONS. REFERENCE VOLTAGE APPLICATIONS.)

pdf
02CZ39 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION APPLICATIONS. REFERENCE VOLTAGE APPLICATIONS.)

pdf
03902GRF Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Controlled Rectifier/Inverter

pdf
03902GRF Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Controlled Rectifier/Inverter

pdf
03904GRF Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Controlled Rectifier/Inverter

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты