DataSheet26.com


NNCD4.3B даташит

Функция этой детали – «ElectrostatIC Discharge Noise Clipping Diodes 500 Mw Type».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NNCD4.3B NEC
NEC
  ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 500 mW TYPE

DATA SHEET E.S.D NOISE CLIPPING DIODES NNCD3.3B to NNCD12B ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES (500 mW TYPE) This product series is a diode developed for E.S.D (Electrostatic Discharge) noise protection. Based on the IEC1000-4-2 test on electromagnetic interference (EMI), the diode assures an endurance of no less than 30 kV. Type NNCD2.0B to NNCD12B Series is into DO-35 Package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. φ 0.5 25 MIN. Cathode indication PACK
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "4.3B", "NNCD4"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
4.3BS Semtech Corporation
Semtech Corporation

SILICON PLANAR ZENER DIODE

pdf
4.3BSA Semtech Corporation
Semtech Corporation

SILICON PLANAR ZENER DIODE

pdf
4.3BSB Semtech Corporation
Semtech Corporation

SILICON PLANAR ZENER DIODE

pdf
4.3BSC Semtech Corporation
Semtech Corporation

SILICON PLANAR ZENER DIODE

pdf
C1Z4.3B Central Semiconductor
Central Semiconductor

(C1Zxxx) SILICON ZENER DIODE

C1Z3.3B THRU C1Z91B SILICON ZENER DIODE 3.3 VOLTS THRU 91 VOLTS 1.0 W, 5% TOLERANCE Central TM Semiconductor Corp. DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR C1Z3.3B Series Silicon Zener Diode is a high quality epoxy molded voltage regulator designed for use in industrial, commerc
pdf
CDZ4.3B ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Zener diode

CDZ4.3B Diodes Zener diode CDZ4.3B zApplications Constant voltage control 0.6±0.05 zExternal dimensions (Unit : mm) 0.16±0.05 zLand size figure (Unit : mm) 0.55 0.45 zFeatures 1) 2-pin ultra mini-mold type for high-density mounting (VMN2). 2) High reliab
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты