|
NOA1211 даташитФункция этой детали – «Ambient Light Sensor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NOA1211 | ON Semiconductor |
Ambient Light Sensor NOA1211 Ambient Light Sensor with Dark Current Compensation
Description
The NOA1211 is a very low power ambient light sensor (ALS) with an analog current output and a power down mode to conserve power. Designed primarily for handheld device applications, the active power dissipation of this chip is less than 8 mA at dark and its quiescent current consumption is less than 200 pA in power down mode. The device can operate over a very wide range of voltages from 2 V to 5.5 V. The NOA1211 employs proprietary CMOS image sen |
Это результат поиска, начинающийся с "1211", "NOA1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N1211 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-61 |
|
2N1211 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-61 |
|
2SD1211 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) Transistor
2SD1211
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency amplification Complementary to 2SB987
5.9± 0.2
Unit: mm
4.9± 0.2
s Features
q q
High collector to emitter voltage VCEO. Optimum for the driver-stage of a low-frequency and 40 to 60W output amplifier.
(T |
|
2SK1211 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1211
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=2.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=800V(Min)
APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta= |
|
2SK1211 | Fuji Semiconductors |
(2SKxxxx) Power MOSFET w
w
w
a d .
s a t
e h
4 t e
. u
m o c
Datasheet.es
|
|
A1211 | Tyco Electronics |
10 TO 1200 MHz CASCADABLE AMPLIFIER A1211/SMA1211
10 TO 1200 MHz CASCADABLE AMPLIFIER · HIGH EFFICIENCY: 16 mA at +5 Vdc · LOW NOISE FIGURE: 2.8 dB at 5 Vdc (TYP.) · LOW CURRENT DRAIN: 15.5 mA at 5 Vdc · MEDIUM OUTPUT POWER: +11 dBm at 8 Vdc (TYP.) · MEDIUM THIRD I.P.: +25 dBm at 8 Vdc
Specifications (Rev. Dat |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |