DataSheet26.com


NP100N04NUJ даташит

Функция этой детали – «Mos Field Effect Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NP100N04NUJ Renesas
Renesas
  MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP100N04NUJ MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Preliminary Data Sheet R07DS0364EJ0100 Rev.1.00 Jun 13, 2011 Description The NP100N04NUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 3.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) • Low Ciss: Ciss = 5600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • High current rating: ID(DC) = ±100 A • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified Ordering Information Part No. NP100N04NUJ�
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "100N04NUJ", "NP100N04"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
E544AN-100041 TOKO  Inc
TOKO Inc

SELECTION GUIDE FOR STANDARD COILS

pdf
E544AN-100042 TOKO  Inc
TOKO Inc

SELECTION GUIDE FOR STANDARD COILS

pdf
E544AN-100043 TOKO  Inc
TOKO Inc

SELECTION GUIDE FOR STANDARD COILS

pdf
E544AN-100044 TOKO  Inc
TOKO Inc

SELECTION GUIDE FOR STANDARD COILS

pdf
E544AN-100045 TOKO  Inc
TOKO Inc

SELECTION GUIDE FOR STANDARD COILS

pdf
E544AN-100046 TOKO  Inc
TOKO Inc

SELECTION GUIDE FOR STANDARD COILS

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты