|
NP110N055PUG даташитФункция этой детали – «N-channel Power Mos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NP110N055PUG | Renesas |
N-CHANNEL POWER MOS FET DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP110N055PUG
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION
The NP110N055PUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
PACKAGE
NP110N055PUG
TO-263 (MP-25ZP)
FEATURES
• Channel temperature 175 degree rating • Super low on-state resistance
RDS(on) = 2.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low Ciss: Ciss = 17100 pF TYP.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Drain to Source Voltage (VGS = 0 |
Это результат поиска, начинающийся с "110N055PUG", "NP110N055" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NP110N055PUJ | Renesas |
N-CHANNEL POWER MOS FET DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP110N055PUJ
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION The NP110N055PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER NP110N055PUJ-E1B-AY Note NP110N055PUJ- |
|
NP110N055PUK | Renesas |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Preliminary Data Sheet
NP110N055PUK
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
R07DS0591EJ0100 Rev.1.00
Dec 12, 2011
Description
The NP110N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
Super low on-state resistance RDS(on) = 1. |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |