|
NP119N04NUK даташитФункция этой детали – «N-channel Power Mos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NP119N04NUK | Renesas |
N-channel Power MOS FET Preliminary Data Sheet
NP119N04NUK
40 V – 120 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive
R07DS1252EJ0100 Rev.1.00
Mar 30, 2015
Description
The NP119N04NUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
Features
• Super low on-state resistance RDS(on) = 2.15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 60 A)
• Low Ciss: Ciss = 7400 pF TYP. (VDS = 25 V) • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
Ordering Information
Part No.
Lead Plating
Packing
NP119 |
Это результат поиска, начинающийся с "119N04NUK", "NP119N04" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MAX11904 | Maxim Integrated Products |
Fully Differential SAR ADC MAX11905
EVALUATION KIT AVAILABLE
20-Bit, 1.6Msps, Low-Power, Fully Differential SAR ADC
General Description
The MAX11905 is a 20-bit, 1.6Msps, single-channel, fully differential SAR ADC with internal reference buffers. The MAX11905 provides excellent static and dynamic perform |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |