DataSheet26.com


NP119N04NUK даташит

Функция этой детали – «N-channel Power Mos Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NP119N04NUK Renesas
Renesas
  N-channel Power MOS FET

Preliminary Data Sheet NP119N04NUK 40 V – 120 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive R07DS1252EJ0100 Rev.1.00 Mar 30, 2015 Description The NP119N04NUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 60 A) • Low Ciss: Ciss = 7400 pF TYP. (VDS = 25 V) • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified Ordering Information Part No. Lead Plating Packing NP119
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "119N04NUK", "NP119N04"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MAX11904 Maxim Integrated Products
Maxim Integrated Products

Fully Differential SAR ADC

MAX11905 EVALUATION KIT AVAILABLE 20-Bit, 1.6Msps, Low-Power, Fully Differential SAR ADC General Description The MAX11905 is a 20-bit, 1.6Msps, single-channel, fully differential SAR ADC with internal reference buffers. The MAX11905 provides excellent static and dynamic perform
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты