|
NP161N04TUG даташитФункция этой детали – «N-channel Power Mos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NP161N04TUG | Renesas |
N-CHANNEL POWER MOS FET DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP161N04TUG
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION The NP161N04TUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER NP161N04TUG-E1-AY Note NP161N04TUG-E2-AY Note
LEAD PLATING Pure Sn (Tin)
PACKING Tape 800 p/reel
Note Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode).
PACKAGE TO-263-7pin (MP-25ZT) typ. 1.5 g
FEATURES • Super low on-state resistance
RDS(on) = 1.35 mΩ TYP. |
Это результат поиска, начинающийся с "161N04TUG", "NP161N04" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
H16104DF | MAGTEK |
10/100 BASE-T TRANSFORMER MODULES M-TEK
http://www.mag-tek.com.tw
10/100 BASE-T TRANSFORMER MODULES
CF ompliant With IEEE 802.3 standards including Baseline Wander Compensation
specification of 350uH OCL when biased at 8mA from O°C to 70°C
SF ingle Channel Interface For 10/100Mbps Ethernet Applications with |
|
H16104MM | FPE |
10/100 Base-T Transformer Modules 10/100 Base-T Transformer Modules
Compliant With IEEE 802.3 standards including
Baseline Wander Compensation specification of 350 H OCL when biased at 8mA from O°C to 70°C
GTS
X 1 M** C-5 * F XXM * * 1
R
1 F -5 XXD FC1 *** H 1 6 **
XL
Single Channel Interface For 10/100Mb |
|
H16104MM-R | FPE |
10/100 Base-T Transformer Modules 10/100 Base-T Transformer Modules
Compliant With IEEE 802.3 standards including
Baseline Wander Compensation specification of 350 H OCL when biased at 8mA from O°C to 70°C
GTS
X 1 M** C-5 * F XXM * * 1
R
1 F -5 XXD FC1 *** H 1 6 **
XL
Single Channel Interface For 10/100Mb |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |