DataSheet26.com


NP161N04TUG даташит

Функция этой детали – «N-channel Power Mos Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NP161N04TUG Renesas
Renesas
  N-CHANNEL POWER MOS FET

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR NP161N04TUG SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The NP161N04TUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. ORDERING INFORMATION PART NUMBER NP161N04TUG-E1-AY Note NP161N04TUG-E2-AY Note LEAD PLATING Pure Sn (Tin) PACKING Tape 800 p/reel Note Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode). PACKAGE TO-263-7pin (MP-25ZT) typ. 1.5 g FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.35 mΩ TYP.
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "161N04TUG", "NP161N04"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
H16104DF MAGTEK
MAGTEK

10/100 BASE-T TRANSFORMER MODULES

M-TEK http://www.mag-tek.com.tw 10/100 BASE-T TRANSFORMER MODULES CF ompliant With IEEE 802.3 standards including Baseline Wander Compensation specification of 350uH OCL when biased at 8mA from O°C to 70°C SF ingle Channel Interface For 10/100Mbps Ethernet Applications with
pdf
H16104MM FPE
FPE

10/100 Base-T Transformer Modules

10/100 Base-T Transformer Modules Compliant With IEEE 802.3 standards including Baseline Wander Compensation specification of 350 H OCL when biased at 8mA from O°C to 70°C GTS X 1 M** C-5 * F XXM * * 1 R 1 F -5 XXD FC1 *** H 1 6 ** XL Single Channel Interface For 10/100Mb
pdf
H16104MM-R FPE
FPE

10/100 Base-T Transformer Modules

10/100 Base-T Transformer Modules Compliant With IEEE 802.3 standards including Baseline Wander Compensation specification of 350 H OCL when biased at 8mA from O°C to 70°C GTS X 1 M** C-5 * F XXM * * 1 R 1 F -5 XXD FC1 *** H 1 6 ** XL Single Channel Interface For 10/100Mb
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты