|
NP36P06KDG даташитФункция этой детали – «Mos Field Effect Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NP36P06KDG | NEC |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP36P06KDG
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. |
Это результат поиска, начинающийся с "36P06KDG", "NP36P06" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
23HS3606-04 | ETC |
Hybrid Stepper Motors HYBRID STEPPING MOTORS
0.9˚
2-PHASE 1.8˚ 3.6˚
23HS SERIES 1.8°
Key Features
I High Torque I High Accuracy I Smooth Movement
General Specifications
Bi-polar
Model Number
23HS0402-02 23HS0403-02 23HS0404-01 23HS0406 23HS0411 23HS0412 23HS0413 23HS1407 23HS1408 23HS2403 23 |
|
2SC3606 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC3606
2SC3606
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
· Low noise figure, high gain. · NF = 1.1dB, |S21e|2 = 11dB (f = 1 GHz)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage Collecto |
|
2SC3606 | Kexin |
Transistor SMD Type
Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3606
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Transistors IC
Unit: mm
Features
+0.1 2.4-0.1
Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, |S21e|2 = 11dB (f = 1 GHz)
+0.1 1.3-0.1
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05 0.1-0.01
|
|
2SK3606-01 | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 2SK3606-01
FUJI POWER MOSFET
200304
Super FAP-G Series
Features
High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings (mm)
TO-220AB
Applications
Switching regulators UPS (Uninterruptible P |
|
8403606JA | Intersil Corporation |
2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM HM-65162
March 1997
2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
Description
The HM-65162 is a CMOS 2048 x 8 Static Random Access Memory manufactured using the Intersil Advanced SAJI V process. The device utilizes asynchronous circuit design for fast cycle time and ease of use. The pinou |
|
8403606ZA | Intersil Corporation |
2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |