|
NP89N055PUK даташитФункция этой детали – «Mos Field Effect Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NP89N055PUK | Renesas |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Preliminary Data Sheet
NP89N055PUK
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
R07DS0569EJ0100 Rev.1.00
Nov 17, 2011
Description
The NP89N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
Super low on-state resistance RDS(on) = 4.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)
Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V) Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
Ordering Information
Part No. NP89N055PUK-E1-AY *1 NP89N055PUK-E2-AY *1
Lead Plating Pure Sn (Tin) |
Это результат поиска, начинающийся с "89N055PUK", "NP89N055" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NP89N055MUK | Renesas |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Preliminary Data Sheet
NP89N055MUK, NP89N055NUK
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
R07DS0600EJ0100 Rev.1.00
Jan 11, 2012
Description
These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
Features
Super low on-state resistance |
|
NP89N055NUK | Renesas |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Preliminary Data Sheet
NP89N055MUK, NP89N055NUK
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
R07DS0600EJ0100 Rev.1.00
Jan 11, 2012
Description
These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
Features
Super low on-state resistance |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |