|
NP8P128AE3TSM60E даташитФункция этой детали – «P8p Parallel Phase Change Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NP8P128AE3TSM60E | Micron |
P8P Parallel Phase Change Memory 128Mb: P8P Parallel PCM Features
P8P Parallel Phase Change Memory (PCM)
Features
• High-performance READ – 115ns initial READ access – 135ns initial READ access – 25ns, 8-word asynchronous-page READ • Architecture – Asymmetrically blocked architecture – Four 32KB parameter blocks with top or bottom configuration – 128KB main blocks – Serial peripheral interface (SPI) to enable lower pin count on-board programming • Phase change memory (PCM) – Chalcogenide phase change storage element – Bit-alte |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |