|
NRVBB30H30CT-1G даташитФункция этой детали – «Switch-mode Power Rectifiers». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NRVBB30H30CT-1G | ON Semiconductor |
Switch-mode Power Rectifiers MBRB30H30CT-1G, NRVBB30H30CT-1G, MBR30H30CTG
Switch-mode Power Rectifiers 30 V, 30 A
Features and Benefits
• Low Forward Voltage • Low Power Loss/High Efficiency • High Surge Capacity • 150°C Operating Junction Temperature • 30 A Total (15 A Per Diode Leg) • Guard−Ring for Stress Protection • NRVBB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
Applications
� |
Это результат поиска, начинающийся с "30H30CT", "NRVBB30H30CT" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MBR30H30CTG | ON Semiconductor |
Power Rectifiers MBRB30H30CT-1G, MBR30H30CTG
SWITCHMODE™ Power Rectifiers 30 V, 30 A
Features and Benefits
•ăLow Forward Voltage •ăLow Power Loss/High Efficiency •ăHigh Surge Capacity •ă150°C Operating Junction Temperature •ă30 A Total (15 A Per Diode Leg) •ăGuard-Ring for St |
|
MBRB30H30CT-1 | ON Semiconductor |
SWITCHMODE Power Rectifier
MBRB30H30CT−1 SWITCHMODE™ Power Rectifier 30 V, 30 A
Features and Benefits
• • • • • • •
Low Forward Voltage Low Power Loss/High Efficiency High Surge Capacity 150°C Operating Junction Temperature 30 A Total (15 A Per Diode Leg) Guard−R |
|
MBRB30H30CT-1G | ON Semiconductor |
Power Rectifiers MBRB30H30CT-1G, MBR30H30CTG
SWITCHMODE™ Power Rectifiers 30 V, 30 A
Features and Benefits
•ăLow Forward Voltage •ăLow Power Loss/High Efficiency •ăHigh Surge Capacity •ă150°C Operating Junction Temperature •ă30 A Total (15 A Per Diode Leg) •ăGuard-Ring for St |
|
0230300L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
0230300L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
1N3030 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 27V 20% 1W 2-Pin DO-13 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |