DataSheet26.com


NRVBB30H30CT-1G даташит

Функция этой детали – «Switch-mode Power Rectifiers».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NRVBB30H30CT-1G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Switch-mode Power Rectifiers

MBRB30H30CT-1G, NRVBB30H30CT-1G, MBR30H30CTG Switch-mode Power Rectifiers 30 V, 30 A Features and Benefits • Low Forward Voltage • Low Power Loss/High Efficiency • High Surge Capacity • 150°C Operating Junction Temperature • 30 A Total (15 A Per Diode Leg) • Guard−Ring for Stress Protection • NRVBB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications �
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "30H30CT", "NRVBB30H30CT"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MBR30H30CTG ON Semiconductor
ON Semiconductor

Power Rectifiers

MBRB30H30CT-1G, MBR30H30CTG SWITCHMODE™ Power Rectifiers 30 V, 30 A Features and Benefits •ăLow Forward Voltage •ăLow Power Loss/High Efficiency •ăHigh Surge Capacity •ă150°C Operating Junction Temperature •ă30 A Total (15 A Per Diode Leg) •ăGuard-Ring for St
pdf
MBRB30H30CT-1 ON Semiconductor
ON Semiconductor

SWITCHMODE Power Rectifier

MBRB30H30CT−1 SWITCHMODE™ Power Rectifier 30 V, 30 A Features and Benefits • • • • • • • Low Forward Voltage Low Power Loss/High Efficiency High Surge Capacity 150°C Operating Junction Temperature 30 A Total (15 A Per Diode Leg) Guard−R
pdf
MBRB30H30CT-1G ON Semiconductor
ON Semiconductor

Power Rectifiers

MBRB30H30CT-1G, MBR30H30CTG SWITCHMODE™ Power Rectifiers 30 V, 30 A Features and Benefits •ăLow Forward Voltage •ăLow Power Loss/High Efficiency •ăHigh Surge Capacity •ă150°C Operating Junction Temperature •ă30 A Total (15 A Per Diode Leg) •ăGuard-Ring for St
pdf
0230300L Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Controlled Rectifier

pdf
0230300L Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Controlled Rectifier

pdf
1N3030 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 27V 20% 1W 2-Pin DO-13

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты