|
NRVTS12100EMFST1G даташитФункция этой детали – «Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NRVTS12100EMFST1G | ON Semiconductor |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier NTS12100EMFS, NRVTS12100EMFS
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier
Features
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Forward Voltage and Low Leakage
• Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • Low Thermal Resistance • High Surge Capability • NRV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q1 |
Это результат поиска, начинающийся с "12100EMFST1G", "NRVTS12100EMFS" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTS12100EMFST1G | ON Semiconductor |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier NTS12100EMFS, NRVTS12100EMFS
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier
Features
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Forward Voltage and Low Leakage
• Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Oper |
|
NRVTS12100EMFS | ON Semiconductor |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier NTS12100EMFS, NRVTS12100EMFS
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier
Features
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Forward Voltage and Low Leakage
• Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Oper |
|
NRVTS12100EMFST3G | ON Semiconductor |
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier NTS12100EMFS, NRVTS12100EMFS
Very Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier
Features
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Forward Voltage and Low Leakage
• Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Oper |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |