DataSheet26.com


NRVTS1260EMFST3G даташит

Функция этой детали – «Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NRVTS1260EMFST3G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier

NRVTS1260EMFS Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • Low Thermal Resistance • High Surge Capability • NRV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1260EMFST3G", "NRVTS1260EMFS"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
NRVTS1260EMFS ON Semiconductor
ON Semiconductor

Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier

NRVTS1260EMFS Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher E
pdf
NRVTS1260EMFST1G ON Semiconductor
ON Semiconductor

Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier

NRVTS1260EMFS Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher E
pdf
R7012603 Powerex Power Semiconductors
Powerex Power Semiconductors

General Purpose Rectifier (300-550 Amperes Average 4400 Volts)

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты