|
NRVTS245ESFT3G даташитФункция этой детали – «Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NRVTS245ESFT3G | ON Semiconductor |
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier NRVTS245ESF
Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
Features
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Forward Voltage and Low Leakage
• Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • Low Thermal Resistance • High Surge Capability • NRV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Quali |
Это результат поиска, начинающийся с "245ESFT3G", "NRVTS245ESF" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2453 | Texas |
Dual NPN Silicon Transistor |
|
2N2453 | Motorola Semiconductors |
DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR 2N2453,A
CASE 654-07, STYLE 1 DUAL
AMPLIFIER TRANSISTOR
NPN SILICON
Refer to 2N2920 for graphs.
MAXIMUM RATINGS
Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
@Total Devjce Dissipation TA = 25°C
Derate above 25°C
@T |
|
2N2453 | New Jersey Semiconductor |
DUAL BIPOLAR NPN DEVICES IN A HERMETICALLY SEALED LCC2 CERAMIC SURFACE MOUNT |
|
2N2453A | Motorola Semiconductors |
DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR 2N2453,A
CASE 654-07, STYLE 1 DUAL
AMPLIFIER TRANSISTOR
NPN SILICON
Refer to 2N2920 for graphs.
MAXIMUM RATINGS
Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
@Total Devjce Dissipation TA = 25°C
Derate above 25°C
@T |
|
2N2453A | New Jersey Semiconductor |
DUAL BIPOLAR NPN DEVICES IN A HERMETICALLY SEALED LCC2 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
|
2SD2453 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion planar type Power Transistors
2SD2453
Silicon NPN triple diffusion planar type
Unit: mm
For high current transfer ratio and power amplification ■ Features
• High forward current transfer ratio hFE • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
6.5±0.1 5.3±0.1 4.35±0.1
2.3± |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |