DataSheet26.com


NRVTS245ESFT3G даташит

Функция этой детали – «Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NRVTS245ESFT3G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier

NRVTS245ESF Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • Low Thermal Resistance • High Surge Capability • NRV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Quali
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "245ESFT3G", "NRVTS245ESF"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2453 Texas
Texas

Dual NPN Silicon Transistor

pdf
2N2453 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR

2N2453,A CASE 654-07, STYLE 1 DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON Refer to 2N2920 for graphs. MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous @Total Devjce Dissipation TA = 25°C Derate above 25°C @T
pdf
2N2453 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

DUAL BIPOLAR NPN DEVICES IN A HERMETICALLY SEALED LCC2 CERAMIC SURFACE MOUNT

pdf
2N2453A Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR

2N2453,A CASE 654-07, STYLE 1 DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON Refer to 2N2920 for graphs. MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous @Total Devjce Dissipation TA = 25°C Derate above 25°C @T
pdf
2N2453A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

DUAL BIPOLAR NPN DEVICES IN A HERMETICALLY SEALED LCC2 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE

pdf
2SD2453 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon NPN triple diffusion planar type

Power Transistors 2SD2453 Silicon NPN triple diffusion planar type Unit: mm For high current transfer ratio and power amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 6.5±0.1 5.3±0.1 4.35±0.1 2.3±
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты