DataSheet26.com


NRVTSM245ET3G даташит

Функция этой детали – «Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NRVTSM245ET3G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier

NRVTSM245E Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier POWERMITE® Power Surface Mount Package Features • Low Profile − Maximum Height of 1.1 mm • Small Footprint − Footprint Area of 8.45 mm2 • Supplied in 12 mm Tape and Reel • Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on Exposed Cathode Heat Sink • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "245ET3G", "NRVTSM245E"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2453 Texas
Texas

Dual NPN Silicon Transistor

pdf
2N2453 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR

2N2453,A CASE 654-07, STYLE 1 DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON Refer to 2N2920 for graphs. MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous @Total Devjce Dissipation TA = 25°C Derate above 25°C @T
pdf
2N2453 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

DUAL BIPOLAR NPN DEVICES IN A HERMETICALLY SEALED LCC2 CERAMIC SURFACE MOUNT

pdf
2N2453A Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR

2N2453,A CASE 654-07, STYLE 1 DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON Refer to 2N2920 for graphs. MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage —Collector Current Continuous @Total Devjce Dissipation TA = 25°C Derate above 25°C @T
pdf
2N2453A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

DUAL BIPOLAR NPN DEVICES IN A HERMETICALLY SEALED LCC2 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE

pdf
2SD2453 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon NPN triple diffusion planar type

Power Transistors 2SD2453 Silicon NPN triple diffusion planar type Unit: mm For high current transfer ratio and power amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 6.5±0.1 5.3±0.1 4.35±0.1 2.3±
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты