|
NRVTSM245ET3G даташитФункция этой детали – «Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NRVTSM245ET3G | ON Semiconductor |
Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier NRVTSM245E
Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier
POWERMITE® Power Surface Mount Package
Features
• Low Profile − Maximum Height of 1.1 mm • Small Footprint − Footprint Area of 8.45 mm2 • Supplied in 12 mm Tape and Reel • Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on
Exposed Cathode Heat Sink
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Forward Voltage and Low Leakage
• Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating |
Это результат поиска, начинающийся с "245ET3G", "NRVTSM245E" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2453 | Texas |
Dual NPN Silicon Transistor |
|
2N2453 | Motorola Semiconductors |
DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR 2N2453,A
CASE 654-07, STYLE 1 DUAL
AMPLIFIER TRANSISTOR
NPN SILICON
Refer to 2N2920 for graphs.
MAXIMUM RATINGS
Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
@Total Devjce Dissipation TA = 25°C
Derate above 25°C
@T |
|
2N2453 | New Jersey Semiconductor |
DUAL BIPOLAR NPN DEVICES IN A HERMETICALLY SEALED LCC2 CERAMIC SURFACE MOUNT |
|
2N2453A | Motorola Semiconductors |
DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR 2N2453,A
CASE 654-07, STYLE 1 DUAL
AMPLIFIER TRANSISTOR
NPN SILICON
Refer to 2N2920 for graphs.
MAXIMUM RATINGS
Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
@Total Devjce Dissipation TA = 25°C
Derate above 25°C
@T |
|
2N2453A | New Jersey Semiconductor |
DUAL BIPOLAR NPN DEVICES IN A HERMETICALLY SEALED LCC2 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
|
2SD2453 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion planar type Power Transistors
2SD2453
Silicon NPN triple diffusion planar type
Unit: mm
For high current transfer ratio and power amplification ■ Features
• High forward current transfer ratio hFE • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
6.5±0.1 5.3±0.1 4.35±0.1
2.3± |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |