DataSheet26.com


NRVTSM260ET3G даташит

Функция этой детали – «Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NRVTSM260ET3G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier

NRVTSM260E Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier POWERMITE® Power Surface Mount Package Features • Low Profile − Maximum Height of 1.1 mm • Small Footprint − Footprint Area of 8.45 mm2 • Supplied in 12 mm Tape and Reel • Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on Exposed Cathode Heat Sink • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "260ET3G", "NRVTSM260E"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
23HS2603-06 ETC
ETC

Hybrid Stepper Motors

HYBRID STEPPING MOTORS 0.9˚ 2-PHASE 1.8˚ 3.6˚ 23HS SERIES 1.8° Key Features I High Torque I High Accuracy I Smooth Movement General Specifications Bi-polar Model Number 23HS0402-02 23HS0403-02 23HS0404-01 23HS0406 23HS0411 23HS0412 23HS0413 23HS1407 23HS1408 23HS2403 23
pdf
2SC2603 Micro Electronics
Micro Electronics

NPN SILICON TRANSISTOR

pdf
2SC2603 Micro Electronics
Micro Electronics

(2SCxxx) Low Level and General Purpose Amplifiers

w w w .d e e h s a t a . u t4 m o c
pdf
2SD2603 FOSHAN BLUE ROCKET
FOSHAN BLUE ROCKET

SILICON NPN TRANSISTOR

2SD2603(3DD2603) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于一般功率输出放大。 Purpose: Power out amplifier applications. 特点:击穿电压高,饱和压降低。 Features: High VCEO,low V .CE(sat) 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25�
pdf
2SK2603 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK2603 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII) 2SK2603 Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 3.0 Ω (typ.) z High forward transfer admittance : |Yfs| = 2.6 S
pdf
3DD2603 FOSHAN BLUE ROCKET
FOSHAN BLUE ROCKET

SILICON NPN TRANSISTOR

2SD2603(3DD2603) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于一般功率输出放大。 Purpose: Power out amplifier applications. 特点:击穿电压高,饱和压降低。 Features: High VCEO,low V .CE(sat) 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25�
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты