|
NRVTSM260ET3G даташитФункция этой детали – «Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NRVTSM260ET3G | ON Semiconductor |
Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier NRVTSM260E
Surface Mount Trench Schottky Power Rectifier
POWERMITE® Power Surface Mount Package
Features
• Low Profile − Maximum Height of 1.1 mm • Small Footprint − Footprint Area of 8.45 mm2 • Supplied in 12 mm Tape and Reel • Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on
Exposed Cathode Heat Sink
• Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Forward Voltage and Low Leakage
• Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating |
Это результат поиска, начинающийся с "260ET3G", "NRVTSM260E" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
23HS2603-06 | ETC |
Hybrid Stepper Motors HYBRID STEPPING MOTORS
0.9˚
2-PHASE 1.8˚ 3.6˚
23HS SERIES 1.8°
Key Features
I High Torque I High Accuracy I Smooth Movement
General Specifications
Bi-polar
Model Number
23HS0402-02 23HS0403-02 23HS0404-01 23HS0406 23HS0411 23HS0412 23HS0413 23HS1407 23HS1408 23HS2403 23 |
|
2SC2603 | Micro Electronics |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
2SC2603 | Micro Electronics |
(2SCxxx) Low Level and General Purpose Amplifiers w
w
w
.d
e e h s a t a
. u t4
m o c
|
|
2SD2603 | FOSHAN BLUE ROCKET |
SILICON NPN TRANSISTOR 2SD2603(3DD2603)
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于一般功率输出放大。
Purpose: Power out amplifier applications.
特点:击穿电压高,饱和压降低。 Features: High VCEO,low V .CE(sat)
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25� |
|
2SK2603 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor 2SK2603
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII)
2SK2603
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications
Unit: mm
z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 3.0 Ω (typ.) z High forward transfer admittance : |Yfs| = 2.6 S |
|
3DD2603 | FOSHAN BLUE ROCKET |
SILICON NPN TRANSISTOR 2SD2603(3DD2603)
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于一般功率输出放大。
Purpose: Power out amplifier applications.
特点:击穿电压高,饱和压降低。 Features: High VCEO,low V .CE(sat)
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25� |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |