|
NSBA124EDXV6 даташитФункция этой детали – «Dual PNP Bias Resistor Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NSBA124EDXV6 | ON Semiconductor |
Dual PNP Bias Resistor Transistors MUN5112DW1, NSBA124EDXV6, NSBA124EDP6
Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 22 kW, R2 = 22 kW
PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single |
|
NSBA124EDXV6T1 | ON Semiconductor |
(NSBA114EDXV6T5 Series) Dual Bias Resistor Transistors NSBA114EDXV6T1, NSBA114EDXV6T5 SERIES
Preferred Devices
Dual Bias Resistor Transistors
PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a sin |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |