|
NT5CB256M16CP даташитФункция этой детали – «Industrial And Automotive Ddr3(l) 4gb Sdram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NT5CB256M16CP | Nanya |
Industrial and Automotive DDR3(L) 4Gb SDRAM DDR3(L) 4Gb SDRAM
NT5CB(C)512M8CN / NT5CB(C)256M16CP
Nanya Technology Corp.
NT5CB(C)512M8CN / NT5CB(C)256M16CP
Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 4Gb SDRAM
Features
JEDEC DDR3 Compliant
- 8n Prefetch Architecture - Differential Clock(CK/) and Data Strobe(DQS/ ) - Double-data rate on DQs, DQS and DM
Signal Integrity
- Configurable DS for system compatibility - Configurable On-Die Termination - ZQ Calibration for DS/ODT impedance accuracy via external ZQ pad (240 ohm ± 1%)
Data I |
Это результат поиска, начинающийся с "5CB256M16CP", "NT5CB256M1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NT5CB256M16BP | Nanya |
4Gb DDR3 SDRAM B-Die 4Gb DDR3 SDRAM B-Die
NT5CB1024M4BN / NT5CB512M8BN / NT5CB256M16BP NT5CC1024M4BN / NT5CC512M8BN / NT5CC256M16BP
Feature
VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply) VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V) 8 Intern |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |