DataSheet26.com


NT5CB256M16CP даташит

Функция этой детали – «Industrial And Automotive Ddr3(l) 4gb Sdram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NT5CB256M16CP Nanya
Nanya
  Industrial and Automotive DDR3(L) 4Gb SDRAM

DDR3(L) 4Gb SDRAM NT5CB(C)512M8CN / NT5CB(C)256M16CP Nanya Technology Corp. NT5CB(C)512M8CN / NT5CB(C)256M16CP Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 4Gb SDRAM Features  JEDEC DDR3 Compliant - 8n Prefetch Architecture - Differential Clock(CK/) and Data Strobe(DQS/ ) - Double-data rate on DQs, DQS and DM  Signal Integrity - Configurable DS for system compatibility - Configurable On-Die Termination - ZQ Calibration for DS/ODT impedance accuracy via external ZQ pad (240 ohm ± 1%)  Data I
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5CB256M16CP", "NT5CB256M1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
NT5CB256M16BP Nanya
Nanya

4Gb DDR3 SDRAM B-Die

4Gb DDR3 SDRAM B-Die NT5CB1024M4BN / NT5CB512M8BN / NT5CB256M16BP NT5CC1024M4BN / NT5CC512M8BN / NT5CC256M16BP Feature  VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply)  VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V) 8 Intern
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты