|
NT5CC1024M4CN даташитФункция этой детали – «4gb Ddr3 Sdram C-die». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NT5CC1024M4CN | Nanya |
4Gb DDR3 SDRAM C-Die 4Gb DDR3 SDRAM C-Die
NT5CB1024M4CN / NT5CB512M8CN / NT5CB256M16CP NT5CC1024M4CN / NT5CC512M8CN / NT5CC256M16CP
Feature
VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply) VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V) 8 Internal memory banks (BA0- BA2) Differential clock input (CK, ) Programmable Latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 WRITE Latency (CWL): 5,6,7,8,9, 10 POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive Latency (AL): 0, CL-1 |
Это результат поиска, начинающийся с "5CC1024M4CN", "NT5CC1024M" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NT5CC1024M4BN | Nanya |
4Gb DDR3 SDRAM B-Die 4Gb DDR3 SDRAM B-Die
NT5CB1024M4BN / NT5CB512M8BN / NT5CB256M16BP NT5CC1024M4BN / NT5CC512M8BN / NT5CC256M16BP
Feature
VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply) VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V) 8 Intern |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |