DataSheet26.com


NT5CC1024M4CN даташит

Функция этой детали – «4gb Ddr3 Sdram C-die».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NT5CC1024M4CN Nanya
Nanya
  4Gb DDR3 SDRAM C-Die

4Gb DDR3 SDRAM C-Die NT5CB1024M4CN / NT5CB512M8CN / NT5CB256M16CP NT5CC1024M4CN / NT5CC512M8CN / NT5CC256M16CP Feature  VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply)  VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V) 8 Internal memory banks (BA0- BA2) Differential clock input (CK, ) Programmable Latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13    WRITE Latency (CWL): 5,6,7,8,9, 10 POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive Latency (AL): 0, CL-1
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5CC1024M4CN", "NT5CC1024M"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
NT5CC1024M4BN Nanya
Nanya

4Gb DDR3 SDRAM B-Die

4Gb DDR3 SDRAM B-Die NT5CB1024M4BN / NT5CB512M8BN / NT5CB256M16BP NT5CC1024M4BN / NT5CC512M8BN / NT5CC256M16BP Feature  VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply)  VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V) 8 Intern
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты