|
NT5CC128M16BP даташитФункция этой детали – «2gb Ddr3 Sdram B-die». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NT5CC128M16BP | Nanya |
2Gb DDR3 SDRAM B-Die 2Gb DDR3 SDRAM B-Die
NT5CB512M4BN / NT5CB256M8BN / NT5CB128M16BP NT5CC512M4BN / NT5CC256M8BN / NT5CC128M16BP
Feature
1.5V ± 0.075V / 1.35V -0.0675V/+0.1V (JEDEC Write Leveling OCD Calibration Dynamic ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR) Auto Self-Refresh Self-Refresh Temperature RoHS compliance and Halogen free Packages: Standard Power Supply) 8 Internal memory banks (BA0- BA2) Differential clock input (CK, ) Programmable Latency: 6, 7, 8, 9, 10, 11 Pro |
Это результат поиска, начинающийся с "5CC128M16BP", "NT5CC128M1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D45128163G5 | NEC |
UPD45128163G5
DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
µPD45128441, 45128841, 45128163
128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
Description
The µPD45128441, 45128841, 45128163 are high-speed 134,217,728-bit synchronous dynamic random-access memories, organized as 8,388,608 × |
|
NT5CC128M16FP | Nanya |
Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Nanya Technology Corp.
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM
Features
JEDEC DDR3 Compliant
- 8n Prefetch Architecture - Differential Clock(CK/) and Data Strobe(DQ |
|
NT5CC128M16FP-DI | Nanya |
Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Nanya Technology Corp.
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM
Features
JEDEC DDR3 Compliant
- 8n Prefetch Architecture - Differential Clock(CK/) and Data Strobe(DQ |
|
NT5CC128M16FP-DIA | Nanya |
Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Nanya Technology Corp.
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM
Features
JEDEC DDR3 Compliant
- 8n Prefetch Architecture - Differential Clock(CK/) and Data Strobe(DQ |
|
NT5CC128M16FP-DIB | Nanya |
Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Nanya Technology Corp.
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM
Features
JEDEC DDR3 Compliant
- 8n Prefetch Architecture - Differential Clock(CK/) and Data Strobe(DQ |
|
NT5CC128M16FP-DIH | Nanya |
Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Nanya Technology Corp.
NT5CB(C)256M8FN / NT5CB(C)128M16FP
Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM
Features
JEDEC DDR3 Compliant
- 8n Prefetch Architecture - Differential Clock(CK/) and Data Strobe(DQ |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |