|
NTB22N06 даташитФункция этой детали – «Power Mosfet ( Transistor )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTB22N06 | ON Semiconductor |
Power MOSFET ( Transistor ) NTP22N06, NTB22N06
Power MOSFET 22 Amps, 60 Volts
N−Channel TO−220 and D2PAK
Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Typical Applications
• Power Supplies • Converters • Power Motor Controls • Bridge Circuits
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
Drain−to−Source Voltage
Drain−to−Gate Voltage (RGS = 10 MΩ) Gate−to−Source Voltage
− Continuous − Non−Repetitive (tpv1 |
|
NTB22N06L | ON Semiconductor |
Power MOSFET ( Transistor ) NTP22N06L, NTB22N06L
Power MOSFET 22 Amps, 60 Volts, Logic Level
N−Channel TO−220 and D2PAK
Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
Typical Applications
• Power Supplies • Converters • Power Motor Controls • Bridge Circuits
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol Value
Drain−to−Source Voltage
Drain−to−Gate Voltage (RGS = 10 MΩ) Gate−to−Source Voltage
− Continuous − |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |