|
NTB5860N даташитФункция этой детали – «N-channel Power Mosfet / Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTB5860N | ON Semiconductor |
N-Channel Power MOSFET / Transistor NTB5860N, NTP5860N, NVB5860N
N-Channel Power MOSFET
60 V, 220 A, 3.0 mW
Features
• Low RDS(on) • High Current Capability
• 100% Avalanche Tested
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free and are RoHS Compliant
• NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C Unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Value
Drain−to−Source Voltage
Gate−to−Source Voltage − Continuous
Co |
|
NTB5860NL | ON Semiconductor |
N-Channel Power MOSFET / Transistor NTB5860NL, NTP5860NL, NVB5860NL
N-Channel Power MOSFET
60 V, 220 A, 3.0 mW
Features
• Low RDS(on) • High Current Capability
• 100% Avalanche Tested
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free and are RoHS Compliant
• NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C Unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Value
Drain−to−Source Voltage
Gate−to−Source Voltage − Continuous
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |