|
NTBV45N06 даташитФункция этой детали – «Power Mosfet ( Transistor )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTBV45N06 | ON Semiconductor |
Power MOSFET ( Transistor ) NTB45N06, NTBV45N06
Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
N−Channel D2PAK
Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features
• Higher Current Rating • Lower RDS(on) • Lower VDS(on) • Lower Capacitances • Lower Total Gate Charge • Tighter VSD Specification • Lower Diode Reverse Recovery Time • Lower Reverse Recovery Stored Charge • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NTBV45N06
• These Devices are Pb−Free |
|
NTBV45N06L | ON Semiconductor |
Power MOSFET ( Transistor ) NTB45N06L, NTBV45N06L
Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
Logic Level, N−Channel D2PAK
Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
Features
• Higher Current Rating • Lower RDS(on) • Lower VDS(on) • Lower Capacitances • Lower Total Gate Charge • Tighter VSD Specification • Lower Diode Reverse Recovery Time • Lower Reverse Recovery Stored Charge • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NTBV45N06L • These Devices |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |