|
NTE1197 даташитФункция этой детали – «Integrated Circuit Osc And 12-stage Divider». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE1197 | NTE |
Integrated Circuit OSC and 12-Stage Divider NTE1197 Integrated Circuit OSC and 12–Stage Divider
Description: The NTE1197 is an integrated circuit in a 9–Lead SIP type package consisting of a 12 stage frequency divider and an amplifier for use in crystal oscillator applications. This device is designed to operate with an input frequency of 10.24MHz. Available reference dividing ratios are 28, 210, 211 and 212. Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Supply Voltage, VDD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "1197", "NTE1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N1197 | New Jersey Semiconductor |
Diode 500V 40A 2-Pin DO-5 |
|
1N1197A | New Jersey Semiconductor |
Diode 500V 40A 2-Pin DO-5 |
|
2SB1197 | WEITRON |
PNP General Purpose Transistors 2SB1197
PNP General Purpose Transistors
P b Lead(Pb)-Free
Features:
* High current capacity in compact package. * Epitaxial planar type. * We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
1 2
3
SOT-23
MAXIMUM RATINGS(Ta=25°C)
Rating Collector-Base |
|
2SB1197 | Galaxy Microelectronics |
Silicon Epitaxial Planar Transistor Production specification
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z Small surface mounting type. z Corredtor peak current(Max.=1000mA).
Pb
Lead-free
z Suitable for high packing density.
z Low voltage(Max.=40v).
z High saturation current capability.
z Voltage controlled |
|
2SB1197 | MCC |
(2SB1197-xx) PNP Silicon Epitaxial Transistors
MCC
Micro Commercial Components
TM
omponents 20736 Marilla Street Chatsworth !"# $
% !"#
2SB1197 2SB1197-P 2SB1197-Q 2SB1197-R
PNP Silicon Epitaxial Transistors
• • •
Features
Small Pack |
|
2SB1197 | Galaxy Semi-Conductor |
Silicon Epitaxial Planar Transistor BL Galaxy Electrical
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z z z z z z Small surface mounting type. Corredtor peak current(Max.=1000mA) Suitable for high packing density. Low voltage(Max.=40v) High saturation current capability. Voltage controlled small signal switch.
Pro |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |