|
NTE1338 даташитФункция этой детали – «Integrated Circuit Module / Hybrid / Dual Driver». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE1338 | NTE |
Integrated Circuit Module / Hybrid / Dual Driver for 40W to 50W Audio Power Amp NTE1338 Integrated Circuit Module, Hybrid, Dual Driver for 40W to 50W Audio Power Amp
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Maximum Supply Voltage, VCCmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±55V Operating Case Temperature, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +115°C Storage temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "1338", "NTE1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1338 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:EN1421A
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1338/2SC3392
High-Speed Switching Applications
Features
· Adoption of FBET process.
· High breakdown voltage : VCEO=(–)50V. · Large current capacitiy and high fT. · Very small-sized package permitting |
|
2SA1338 | Kexin |
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors SMD Type
Transistors IC
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1338
SOT-23
Unit: mm
Adoption of FBET process.
+0.1 2.4-0.1
High breakdown voltage : VCEO=-50V. Large current capacitiy and high fT. Ultrasmall-sized package permitting sets to be smallsized, slim.
+0.1 1.3-0 |
|
2SA1338 | TY Semiconductor |
Transistors Product specification
2SA1338
SOT-23
Unit: mm
Adoption of FBET process.
+0.1 2.4-0.1
High breakdown voltage : VCEO=-50V. Large current capacitiy and high fT. Ultrasmall-sized package permitting sets to be smallsized, slim.
+0.1 1.3-0.1
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
|
|
2SD1338 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD1338
DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage-
: VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·Built-in Damper Diode
APPLICATIONS ·Designed for horizontal output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATI |
|
2SK1338 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1338
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
TO-220AB
D G
1
2
3 1. Gate 2. |
|
A1338 | Sanyo |
PNP Transistor - 2SA1338 Ordering number:EN1421A
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1338/2SC3392
High-Speed Switching Applications
Features
· Adoption of FBET process.
· High breakdown voltage : VCEO=(–)50V. · Large current capacitiy and high fT. · Very small-sized package permitting |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |