DataSheet26.com


NTE1338 даташит

Функция этой детали – «Integrated Circuit Module / Hybrid / Dual Driver».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE1338 NTE
NTE
  Integrated Circuit Module / Hybrid / Dual Driver for 40W to 50W Audio Power Amp

NTE1338 Integrated Circuit Module, Hybrid, Dual Driver for 40W to 50W Audio Power Amp Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Maximum Supply Voltage, VCCmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±55V Operating Case Temperature, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +115°C Storage temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1338", "NTE1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA1338 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

Ordering number:EN1421A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1338/2SC3392 High-Speed Switching Applications Features · Adoption of FBET process. · High breakdown voltage : VCEO=(–)50V. · Large current capacitiy and high fT. · Very small-sized package permitting
pdf
2SA1338 Kexin
Kexin

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors

SMD Type Transistors IC PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1338 SOT-23 Unit: mm Adoption of FBET process. +0.1 2.4-0.1 High breakdown voltage : VCEO=-50V. Large current capacitiy and high fT. Ultrasmall-sized package permitting sets to be smallsized, slim. +0.1 1.3-0
pdf
2SA1338 TY Semiconductor
TY Semiconductor

Transistors

Product specification 2SA1338 SOT-23 Unit: mm Adoption of FBET process. +0.1 2.4-0.1 High breakdown voltage : VCEO=-50V. Large current capacitiy and high fT. Ultrasmall-sized package permitting sets to be smallsized, slim. +0.1 1.3-0.1 1 +0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1 2 0.55
pdf
2SD1338 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon NPN Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification 2SD1338 DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·Built-in Damper Diode APPLICATIONS ·Designed for horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI
pdf
2SK1338 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N-Channel MOS FET

2SK1338 Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline TO-220AB D G 1 2 3 1. Gate 2.
pdf
A1338 Sanyo
Sanyo

PNP Transistor - 2SA1338

Ordering number:EN1421A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1338/2SC3392 High-Speed Switching Applications Features · Adoption of FBET process. · High breakdown voltage : VCEO=(–)50V. · Large current capacitiy and high fT. · Very small-sized package permitting
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты