|
NTE1796 даташитФункция этой детали – «Integrated Circuit Hybrid Switching Voltage Regulator». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE1796 | NTE |
Integrated Circuit Hybrid Switching Voltage Regulator NTE1796 Integrated Circuit Hybrid Switching Voltage Regulator
Features: D Triple Diffused Transistor Chips Incorporated D Compact Plastic Package with Industry Standard Reliability D Output Voltage is Pre–Fixed – No External Adjustment is Required Absolute Maximum Ratings: Peak Input Voltage, VIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V Input Current, IIN Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "1796", "NTE1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N1796 | Microsemi |
Silicon Controlled Rectifier |
|
2N1796 | Powerex Power |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 600 Volts |
|
2N1796 | New Jersey Semiconductor |
Thyristor SCR 300V 1.6KA 3-Pin TO-83 |
|
2N1796 | New Jersey Semiconductor |
Thyristor SCR 300V 1.6KA 3-Pin TO-83 |
|
2SA1796 | Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd |
Switching Power Transistor(-7A PNP) SHINDENGEN
Switching Power Transistor
LSV Series
2SA1796
(TE7T4)
-7A PNP
OUTLINE DIMENSIONS
Case : E-pack Unit : mm
RATINGS
●Absolute Maximum Ratings Item
Storage Temperature Junction Temperature Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Emitter to Base Voltage |
|
2SD1796 | Sanken electric |
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid/ Relay and Motor and General Purpose) Built-in Avalanche Diode for Surge Absorbing Darlington
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SD1796 60±10 60±10 6 4 0.5 25(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C
2SD1796
sElectr |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |