DataSheet26.com


NTE1862 даташит

Функция этой детали – «Integrated Circuit Tv VertrICal Deflection Circuit».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE1862 NTE
NTE
  Integrated Circuit TV Vertrical Deflection Circuit

NTE1862 Integrated Circuit TV Vertrical Deflection Circuit Description: The NTE1862 is a monolithic, full performance, very efficient vertical deflection circuit in a 15−Lead SIP type package intended for direct drive of the yoke of 110° color TV picture tubes. This device offers a wide range of applications such as portable CTVs, BW TVs, monitors, and displays. Features: D Synchronization Circuit D Precision Oscillator and Ramp Generator D Power Output Amplifier with High Current Capability D Fl
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1862", "NTE1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA1862 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

High-voltage Switching Transistor (−400V/ −2A)

2SA1862 Transistors High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A) 2SA1862 zFeatures 1) High breakdown voltage. (BVCEO = −400V) 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE (sat) = −0.3V at IC / IB = −500mA / −100mA) 3) High switching speed, typically tf = 0.4µs at IC = �
pdf
2SA1862 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

(2SA1807 / 2SA1862) High-Voltage Switching Transistor

Transistors 2SA1807 2SA1862 (96-102-A331) (96-109-A343) 307
pdf
2SD1862 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Medium Power Transistor

Medium power transistor (32V, 2A) 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 0.5±0.1 Dimensions (Unit : mm) 2S
pdf
2SK1862 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N-Channel MOS FET

2SK1862, 2SK1863 Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator Outline TO-220FM D G 1 2 3 1. Gate 2. Drain 3. S
pdf
AD1862 Analog Devices
Analog Devices

Ultralow Noise 20-Bit Audio DAC

a FEATURES 120 dB Signal-to-Noise Ratio 102 dB D-Range Performance ؎ 1 dB Gain Linearity ؎ 1 mA Output Current 16-Pin DIP Package 0.0012% THD + N APPLICATIONS High Performance Compact Disc Players Digital Audio Amplifiers Synthesizer Keyboards Digital Mixing Consoles High Resol
pdf
BTD1862I3 Cystech Electonics
Cystech Electonics

NPN Epitaxial Planar Transistor

CYStech Electronics Corp. Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Spec. No. : C842I3 Issued Date : 2003.07.02 Revised Date : Page No. : 1/4 BTD1862I3 Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=0.4 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.5A • Excellent current gain characteristics • Co
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты