|
NTE1862 даташитФункция этой детали – «Integrated Circuit Tv VertrICal Deflection Circuit». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE1862 | NTE |
Integrated Circuit TV Vertrical Deflection Circuit
NTE1862 Integrated Circuit TV Vertrical Deflection Circuit
Description: The NTE1862 is a monolithic, full performance, very efficient vertical deflection circuit in a 15−Lead SIP type package intended for direct drive of the yoke of 110° color TV picture tubes. This device offers a wide range of applications such as portable CTVs, BW TVs, monitors, and displays. Features: D Synchronization Circuit D Precision Oscillator and Ramp Generator D Power Output Amplifier with High Current Capability D Fl |
Это результат поиска, начинающийся с "1862", "NTE1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1862 | ROHM Semiconductor |
High-voltage Switching Transistor (−400V/ −2A) 2SA1862
Transistors
High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A)
2SA1862
zFeatures 1) High breakdown voltage. (BVCEO = −400V) 2) Low saturation voltage. (Typ. VCE (sat) = −0.3V at IC / IB = −500mA / −100mA) 3) High switching speed, typically tf = 0.4µs at IC = � |
|
2SA1862 | ROHM Semiconductor |
(2SA1807 / 2SA1862) High-Voltage Switching Transistor
Transistors
2SA1807 2SA1862
(96-102-A331)
(96-109-A343)
307
|
|
2SD1862 | ROHM Semiconductor |
Medium Power Transistor Medium power transistor (32V, 2A)
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Features 1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
0.5±0.1
Dimensions (Unit : mm)
2S |
|
2SK1862 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1862, 2SK1863
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator
Outline
TO-220FM
D G
1
2 3
1. Gate 2. Drain 3. S |
|
AD1862 | Analog Devices |
Ultralow Noise 20-Bit Audio DAC a
FEATURES 120 dB Signal-to-Noise Ratio 102 dB D-Range Performance ؎ 1 dB Gain Linearity ؎ 1 mA Output Current 16-Pin DIP Package 0.0012% THD + N APPLICATIONS High Performance Compact Disc Players Digital Audio Amplifiers Synthesizer Keyboards Digital Mixing Consoles High Resol |
|
BTD1862I3 | Cystech Electonics |
NPN Epitaxial Planar Transistor CYStech Electronics Corp.
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C842I3 Issued Date : 2003.07.02 Revised Date : Page No. : 1/4
BTD1862I3
Features
• Low VCE(sat), VCE(sat)=0.4 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.5A • Excellent current gain characteristics • Co |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |