|
NTE1912 даташитФункция этой детали – «Integrated Circuit Positive 3 Terminal Voltage Regulator /». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE1912 | NTE |
Integrated Circuit Positive 3 Terminal Voltage Regulator / 12V / 3A NTE1912 Integrated Circuit Positive 3 Terminal Voltage Regulator, 12V, 3A
Description: The NTE1912 is a 3 terminal fixed positive voltage regulator in a TO3 type package designed for use in applications requiring a well regulated positive output voltage. Outstanding features include full power usage up to 3A of load current, internal current limiting, thermal shutdown, and safe area protection on the chip, providing protection of the series pass Darlington, under most operating conditions. Hermetically sealed steel pack |
Это результат поиска, начинающийся с "1912", "NTE1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N1912 | Powerex Power |
Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 600 Volts |
|
2N1912 | Microsemi |
Silicon Controlled Rectifiers http://
|
|
2N1912 | New Jersey Semiconductor |
Thyristor SCR 150V 1.6KA 3-Pin TO-209AA |
|
2SD1912 | Sanyo Semicon Device |
LOW FREQUENCY POWER AMP APPLICATIONS |
|
2SD1912 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SD1912
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 60V(Min) ·Wide Area of Safe Operation ·Low Collector Saturation Voltage
APPLICATIONS ·Designed for low frequency power am |
|
AGR19125E | TriQuint Semiconductor |
Transistor AGR19125E 125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Introduction
The AGR19125E is a 125 W, 28 V N-channel laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power field effect transistor (FET) suitable for personal communication service (PCS) (1930 MHz—1990 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |