|
NTE195A даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Transistor Rf Power Amp/driver / Cb». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE195A | NTE |
Silicon NPN Transistor RF Power Amp/Driver / CB NTE195A Silicon NPN Transistor RF Power Amp/Driver, CB
Description: The NTE195A is designed primarily for use in large–signal output amplifier stages. Intended for use in Citizen–Band communications equipment operating to 30MHz. High breakdown voltages allow a high percentage of up–modulation in AM circuits. Features: D Specified 12.5V, 28MHz Characteristic: Power Output = 3.5W Power Gain = 10dB Efficiency = 70% Typical Absolute Maximum Ratings: Collector–Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "195A", "NTE1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N1195A | New Jersey Semiconductor |
Diode 300V 40A 2-Pin DO-5 |
|
2N2195A | Semicoa |
(2N2xxx) NPN General Purpose Medium Speed Amplifiers w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
.D w
t a
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2N2195A | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-39 |
|
2N5195A | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 Box |
|
74F195A | Philips |
4-bit parallel-access shift register INTEGRATED CIRCUITS
74F195A 4-bit parallel-access shift register
Product specification IC15 Data Handbook 1996 Mar 12
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Product specification
4-bit parallel-access shift register
74F195A
FEATURES
• Shift right and parallel loa |
|
ALN0195AT | Advanced Semiconductor |
Internally Matched LNA Module plerowTM ALN0195AT
Internally Matched LNA Module Description
The plerowTM ALN-series is the compactly designed surface-mount module for the use of the LNA with or without the following gain blocks in the infrastructure equipment of the mobile wireless (CDMA, |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |