|
NTE210 даташитФункция этой детали – «SilICon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE210 | NTE |
Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver NTE210 (NPN) & NTE211 (PNP) Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver
Description: The NTE210 (NPN) and NTE211 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO202 type package designed for general purpose, medium voltage, medium power amplifier and driver applications such as series, shunt and switching regulators, and low and high frequency inverters and converters. Features: D TO202 Type Package: 2W Free Air Dissipation @ TA = +25°C Absolute Maximum Ratings: Collector–Emitter Voltage, VCE |
|
NTE2102 | NTE |
Integrated Circuit NMOS / 1K Static RAM (SRAM) / 350ns NTE2102 Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns
Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Channel technology allows complete DTL/TTL compatibility of all inputs and outputs as well as a single 5V supply. The separate chip enable input (CE) controlling the o |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |