DataSheet26.com


NTE2307 даташит

Функция этой детали – «SilICon NPN Transistor High Gain Power Amp».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE2307 NTE
NTE
  Silicon NPN Transistor High Gain Power Amp

NTE2307 Silicon NPN Transistor High Gain Power Amp Features: D High Voltage D High DC Current Gain D High Collector Power Dissipation Capability Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V Emitter–Base Voltage,
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2307", "NTE2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2307 ETC
ETC

MICROWAVE CW BIPOLAR

pdf
2KG023075JL Silan Microelectronics
Silan Microelectronics

SWITCHING DIODE CHIPS

2KG023075JL 2KG023075JL SWITCHING DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2KG023075JL is a high speed switching diode chip fabricated in planar technology. Ø Ø This chip can be encapsulated as 1N4148 switching diode. This chip has several thicknesses, can suit for different plastic package.
pdf
2SC2307 Sanken Electric
Sanken Electric

Silicon NPN Triple Diffused Planar

DataShee datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com et4U.com datasheet.esom datasheet.esom datasheet.esom DataSheet 4 U .com
pdf
2SC2307 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2307 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·For power switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emit
pdf
AM2307 AXElite
AXElite

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

AM2307 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • -30V/-3A , RDS(ON)=100mΩ(typ.) @ VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V Pin Description Top View D • • • Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Av
pdf
AM2307PE Analog Power
Analog Power

P-Channel MOSFET

Analog Power P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed Typical Applications: • White LED boost converters • Automotive Systems • Industrial DC/DC Conversion Circuits AM2307PE VDS (V) -20
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты