|
NTE2307 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Transistor High Gain Power Amp». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2307 | NTE |
Silicon NPN Transistor High Gain Power Amp NTE2307 Silicon NPN Transistor High Gain Power Amp
Features: D High Voltage D High DC Current Gain D High Collector Power Dissipation Capability Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V Emitter–Base Voltage, |
Это результат поиска, начинающийся с "2307", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2307 | ETC |
MICROWAVE CW BIPOLAR |
|
2KG023075JL | Silan Microelectronics |
SWITCHING DIODE CHIPS 2KG023075JL
2KG023075JL SWITCHING DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2KG023075JL is a high speed switching diode chip fabricated in planar technology. Ø Ø This chip can be encapsulated as 1N4148 switching diode. This chip has several thicknesses, can suit for different plastic package. |
|
2SC2307 | Sanken Electric |
Silicon NPN Triple Diffused Planar
DataShee
datasheet.esom
datasheet.esom
datasheet.esom DataSheet 4 U .com
et4U.com
datasheet.esom
datasheet.esom
datasheet.esom DataSheet 4 U .com
|
|
2SC2307 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC2307
DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·For power switching applications
PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emit |
|
AM2307 | AXElite |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET AM2307
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features
• -30V/-3A , RDS(ON)=100mΩ(typ.) @ VGS=-10V
RDS(ON)=140mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V
Pin Description
Top View
D
• • •
Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged
Lead Free and Green Devices Av |
|
AM2307PE | Analog Power |
P-Channel MOSFET Analog Power
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed
Typical Applications: • White LED boost converters • Automotive Systems • Industrial DC/DC Conversion Circuits
AM2307PE
VDS (V) -20
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |