DataSheet26.com


NTE2309 даташит

Функция этой детали – «SilICon NPN Transistor High Voltage / High Current».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE2309 NTE
NTE
  Silicon NPN Transistor High Voltage / High Current Switch

NTE2309 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch Features: D High Breakdown Voltage D Fast Switching Speed D Wide ASO Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Emitter–Base Voltage, VEBO . . .
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2309", "NTE2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2309 Central Semiconductor
Central Semiconductor

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) 2N1975 NPN AMPL/SWITCH 2N1983 NPN AMPL/SWITCH 2N1984 NPN AMPL/SWITCH 2N1985 NPN AMPL/SWITCH 2N1986 NPN AMPL/SWITCH 2N1987 NPN AMPL/SWITCH 2N1988 NPN AMPL/SWITCH 2N1989 NPN AMPL/SWITCH 2N1990 NPN AMPL
pdf
2N2309 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 15V 6-Pin Case U

pdf
2SC2309 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial

2SC2309 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC2309 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collec
pdf
AIC2309 Analog Intergrations Corporation
Analog Intergrations Corporation

1A Dual Synchronous Step-down DC/DC Converter

AIC2309 1A Dual Synchronous Step-down DC/DC Converter  FEATURES  Dual 1A Output  2.5V to 5.5V Input Range  Accurate Reference 0.6V Provides Low Out- put Voltages  Adjustable Output Voltage  Up to 95% Efficiency  Stable with Low ESR Output Ceramic Ca- pacitor
pdf
AP2309AGN-HF Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

AP2309AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power Electronics Corp. ▼ Simple Drive Requirement ▼ Small Package Outline ▼ Surface Mount Device ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 D P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID S G -30V 75mΩ - 3.4A Descri
pdf
AP2309AGN-HF-3 Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Advanced Power Electronics Corp. AP2309AGN-HF-3 P-channel Enhancement-mode Power MOSFET Simple Drive Requirement Low On-resistance Surface Mount Device RoHS-compliant, halogen-free D BV DSS G S -30V 75mΩ -3.4A R DS(ON) ID Description Advanced Power MOSFETs from APEC prov
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты