|
NTE2312 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Transistor High Voltage / High Speed». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2312 | NTE |
Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch NTE2312 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
Description: The NTE2312 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for high–voltage, high– speed power switching inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited for 115V and 220V switch–mode applications such as switching regulators, inverters, motor controls, solenoid/relay drivers, and deflection circuits. Absolute Maximum Ratings: Collector–Emitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "2312", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
23128 | Commodore |
128K STATIC READ ONLY MEMORY |
|
2SC2312 | Mitsubishi Electric |
RF POWER TRANSISTOR Datasheet.esaSheet4U.net
|
|
2SC2312 | ELEFLOW TECHNOLOGIES |
Silicon NPN Transistor ELEFLOW TECHNOLOGIES
www.eleflow.com
2SC2312
Datasheet.esaSheet4U.net
1
ELEFLOW TECHNOLOGIES
www.eleflow.com
2SC2312
2
|
|
2SC2312 | Mitsubishi Electric |
RF POWER TRANSISTOR Spec sheet Datasheet.esaSheet4U.net
|
|
2SC2312 | HGSemi |
Silicon NPN POWER TRANSISTOR G H
FEATURES
• • • •
HG RF POWER TRANSISTOR
Semiconductors
ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR
2SC2312
–T–
SEATING PLANE 4
DESCRIPTION
Designed for RF power amplifier on HF band mobile radio applications.
T S C
B
F
Q
1 2 3
A
H U Z L R J
STYLE 1: PIN |
|
2SK2312 | Toshiba Semiconductor |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED/ HIGH VOLTAGE SWITCHING/ CHOPPER REGULATOR/ DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) 2SK2312
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L −π−MOSV)
2
2SK2312
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications
z 4-V gate drive z Low drain−source ON resistance z High forward transfer admittance z Low leakage current z Enhancem |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |