DataSheet26.com


NTE2353 даташит

Функция этой детали – «SilICon NPN Transistor Tv Horizontal Deflection Output W/damper».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE2353 NTE
NTE
  Silicon NPN Transistor TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode

NTE2353 Silicon NPN Transistor TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode Features: D High Speed: tf = 100nsec D High Breakdown Voltage: VCBO = 1500V D On–Chip Damper Diode Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2353", "NTE2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2353 Semicoa
Semicoa

(2N2xxx) NPN General Purpose Medium Speed Amplifiers

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf
2SD2353 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2353 Power Amplifier Applications 2SD2353 Unit: mm • High DC current gain: hFE = 800 to 3200 • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (typ.) Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristics Symbol
pdf
2SK2353 NEC
NEC

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2353/2SK2354 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK2353/2SK2354 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) 10.0 ±0.3. 3.
pdf
AK2353B Asahi Kasei Microsystems
Asahi Kasei Microsystems

Integrated Base Band LSI

( DataSheet : )
pdf
CR2353AA Littelfuse
Littelfuse

Bi-directional Glass passivated junction

TO - 220 series SiBOD™ FEATURES G Bi-directional G Glass passivated junction G High-surge capabilities G Low capacitance G Operation & storage temperature -55°C to 175°C 9.1/ 9.5 10.1/10.3 4.9/ 5.1 MECHANICAL CHARACTERISTICS G Modified TO-220 Outline G Terminals: Solderabl
pdf
CR2353AB Littelfuse
Littelfuse

Bi-directional Glass passivated junction

TO - 220 series SiBOD™ FEATURES G Bi-directional G Glass passivated junction G High-surge capabilities G Low capacitance G Operation & storage temperature -55°C to 175°C 9.1/ 9.5 10.1/10.3 4.9/ 5.1 MECHANICAL CHARACTERISTICS G Modified TO-220 Outline G Terminals: Solderabl
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты