DataSheet26.com


NTE2372 даташит

Функция этой детали – «Mosfet P-ch / Enhancement Mode High Speed Switch».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE2372 NTE
NTE
  MOSFET P-Ch / Enhancement Mode High Speed Switch

NTE2372 MOSFET P–Ch, Enhancement Mode High Speed Switch Features: D Dynamic dv/dt Rating D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements D TO220 Case Style Absolute Maximum Ratings: Continuous Drain Current (VGS = 10V), ID TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2372", "NTE2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2372 NEC
NEC

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2371/2SK2372 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK2371/2SK2372 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) FEATURES �
pdf
ACE2372M ACE Technology
ACE Technology

N-Channel MOSFET

ACE2372M N-Channel 100-V MOSFET Description ACE2372M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). This device particularly suits for low voltage application such as power management of desktop computer or notebook computer power management, DC/DC converter. Fea
pdf
ISL32372E Intersil Corporation
Intersil Corporation

(ISL32172E - ISL32179E) RS-422 Transmitters

® ISL32172E, ISL32272E, ISL32372E, ISL32174E, ISL32274E, ISL32374E, ISL32179E Data Sheet December 16, 2008 FN6824.0 QUAD, ±16.5kV ESD Protected, 3.0V to 5.5V, Low Power, RS-422 Transmitters The Intersil ISL32x7xE are ±16.5kV IEC61000-4-2 ESD Protected, 3.0V to 5.5V powered,
pdf
K2372 NEC
NEC

MOSFET ( Transistor ) - 2SK2372

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2371/2SK2372 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK2371/2SK2372 is N-Channel MOS Field Effect Transistor PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) designed for high voltage switching appli
pdf
LMX2372 National Semiconductor
National Semiconductor

PLLatinum Dual Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

LMX2370/LMX2371/LMX2372 PLLatinum Dual Frequency Synthesizer for RF Personal Communications PRELIMINARY March 1999 LMX2370/LMX2371/LMX2372 PLLatinum™ Dual Frequency Synthesizer for RF Personal Communications LMX2370 LMX2371 LMX2372 2.5 GHz/1.2 GHz 2.0 GHz/1.2 GHz 1.2 GHz/1.2
pdf
LTC2372-18 Linear Technology
Linear Technology

8-Channel SAR ADC

LTC2372-18 18-Bit, 500ksps, 8-Channel SAR ADC with 100dB SNR Features n 500ksps Throughput Rate n 18-Bit Resolution with No Missing Codes n 8-Channel Multiplexer with Selectable Input Range n Fully Differential (±4.096V) n Pseudo-Differential Unipolar (0V to 4.096V)
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты