|
NTE2386 даташитФункция этой детали – «Mosfet N-channel Enhancemen Mode / High Speed Switch». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2386 | NTE |
MOSFET N-Channel Enhancemen Mode / High Speed Switch NTE2386
MOSFET N–Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch
Description: The NTE2386 Power MOSFET features advantages such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability, and is suited for applications such as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, and high energy pulse circuits. Features: • Repetitive Avalanche Ratings • Dynamic dv/dt Rating • Simple Drive Requirements • Ease of Paralleling Absolute Maximum Ratings: Continuous D |
Это результат поиска, начинающийся с "2386", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD2386 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR 2SD2386
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor)
2SD2386
Power Amplifier Applications
Unit: mm
· High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) · Complementary to 2SB1557
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base volta |
|
2SD2386 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Darlington Power Transistors
2SD2386
DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SB1557 ·High breakdown voltage:VCEO=140V(Min)
APPLICATIONS ·Power amplifier applications
PINNING PIN |
|
2SK2386 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2386
DESCRIPTION ·Drain Current ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 500V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching regulators
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL |
|
AD62386AF | Toshiba Semiconductor |
8CH LOW INPUT ACTIVE DARLINGTON SINK DRIVER |
|
AD62386AP | Toshiba Semiconductor |
8CH LOW INPUT ACTIVE DARLINGTON SINK DRIVER |
|
ADP2386 | Analog Devices |
Synchronous Step-Down DC-to-DC Regulator Data Sheet
FEATURES
Input voltage: 4.5 V to 20 V Integrated MOSFET: 44 mΩ/11 mΩ Reference voltage: 0.6 V ± 1% Continuous output current: 6 A Programmable switching frequency: 200 kHz to 1.4 MHz Synchronizes to external clock: 200 kHz to 1.4 MHz 180° out of phase clock synch |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |