DataSheet26.com


NTE2527 даташит

Функция этой детали – «SilICon Complementary Transistors».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE2527 NTE
NTE
  Silicon Complementary Transistors

NTE2526 (NPN) & NTE2527 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Current Switch TO251 Features: D Low Collector−Emitter Saturation Voltage D High Current and High fT D Excellent Linearity of hFE D Fast Switching Time D TO251 Type Package Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V Collector Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . .
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2527", "NTE2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2527AF NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

BU2527AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2527AF GENERAL DESCRIPTION New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuit
pdf
2SC2527 Fujitsu Media Devices
Fujitsu Media Devices

SILICON HIGH SPEED POWER TRANSISTOR

pdf
2SC2527 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2527 DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SA1077 ·Fast switching speed ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·High frequency power amplifiers ·Audio
pdf
2SD2527 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio)

Power Transistors 2SD2527 Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification with high forward current transfer ratio Unit: mm s Features q q q 9.9±0.3 3.0±0.5 4.6±0.2 2.9±0.2 High foward current transfer ratio hFE Satisfactory linearity of foward current t
pdf
2SK2527-01MR Fuji Electric
Fuji Electric

N-channel MOS-FET

2SK2527-01MR FAP-II Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof N-channel MOS-FET 900V 3,6Ω 5A 40W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC con
pdf
82527 Intel Corporation
Intel Corporation

SERIAL COMMUNICATIONS CONTROLLER CONTROLLER AREA NETWORK PROTOCOL

82527 SERIAL COMMUNICATIONS CONTROLLER CONTROLLER AREA NETWORK PROTOCOL Automotive Y Supports CAN Specification 2 0 Standard Data and Remote Frames Extended Data and Remote Frames Programmable Global Mask Standard Message ldentifier Extended Message ldentifier 15 Message Objects
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты