|
NTE2527 даташитФункция этой детали – «SilICon Complementary Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2527 | NTE |
Silicon Complementary Transistors NTE2526 (NPN) & NTE2527 (PNP) Silicon Complementary Transistors
High Current Switch TO251
Features: D Low Collector−Emitter Saturation Voltage D High Current and High fT D Excellent Linearity of hFE D Fast Switching Time D TO251 Type Package
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Collector Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "2527", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2527AF | NXP Semiconductors |
BU2527AF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2527AF
GENERAL DESCRIPTION
New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuit |
|
2SC2527 | Fujitsu Media Devices |
SILICON HIGH SPEED POWER TRANSISTOR |
|
2SC2527 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC2527
DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SA1077 ·Fast switching speed ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·High frequency power amplifiers ·Audio |
|
2SD2527 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current transfer ratio) Power Transistors
2SD2527
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification with high forward current transfer ratio
Unit: mm
s Features
q q q
9.9±0.3
3.0±0.5
4.6±0.2 2.9±0.2
High foward current transfer ratio hFE Satisfactory linearity of foward current t |
|
2SK2527-01MR | Fuji Electric |
N-channel MOS-FET 2SK2527-01MR
FAP-II Series
> Features
High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
N-channel MOS-FET
900V
3,6Ω
5A
40W
> Outline Drawing
> Applications
Switching Regulators UPS DC-DC con |
|
82527 | Intel Corporation |
SERIAL COMMUNICATIONS CONTROLLER CONTROLLER AREA NETWORK PROTOCOL 82527 SERIAL COMMUNICATIONS CONTROLLER CONTROLLER AREA NETWORK PROTOCOL
Automotive
Y
Supports CAN Specification 2 0 Standard Data and Remote Frames Extended Data and Remote Frames Programmable Global Mask Standard Message ldentifier Extended Message ldentifier 15 Message Objects |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |