|
NTE2530 даташитФункция этой детали – «SilICon Complementary Transistors High Voltage Driver». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2530 | NTE |
Silicon Complementary Transistors High Voltage Driver NTE2530 (NPN) & NTE2531 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Voltage Driver
Features: D High Current Capacity: IC = 2A D High Breakdown Voltage: VCEO = 400V Min Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V Collector Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V Em |
Это результат поиска, начинающийся с "2530", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC2530 | Fujitsu |
Silicon High Speed Power Transistors |
|
2SD2530 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion planer type Darlington(For power amplification) Power Transistors
2SD2530
Silicon NPN triple diffusion planer type Darlington
Unit: mm
4.2±0.2
For power amplification
13.0±0.2
10.0±0.2 1.0±0.2
5.0±0.1
I Features
• High forward current transfer ratio hFE • Allowing supply with the radial taping • Low collector t |
|
2SK2530 | Sanyo Semicon Device |
Ultrahigh-Speed Switching Applications Ordering number:ENN6406
N-Channel Silicon MOSFET
2SK2530
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON-resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low voltage drive.
Package Dimensions
unit:mm 2083B
[2SK2530]
6.5 5.0 4
1.5
2.3
0.5
0.85 0.7
0.8 1.6
5.5
7.0
1. |
|
82530 | Intel |
Serial Communications Controller |
|
A625308 | AMIC Technology |
32K X 8 BIT CMOS SRAM
A625308 Series
Preliminary
Document Title 32K X 8 BIT CMOS SRAM Revision History
Rev. No.
0.0 0.1 0.2
32K X 8 BIT CMOS SRAM
History
Initial issue Erase 28-pin DIP package type Erase 55ns part
Issue Date
June 30, 1998 May 21, 1999 December 1, 2000
Remark
P |
|
A625308A | AMIC Technology |
32K X 8 BIT CMOS SRAM
A625308A Series
Preliminary
Document Title 32K X 8 BIT CMOS SRAM Revision History
Rev. No.
0.0 0.1 0.2
32K X 8 BIT CMOS SRAM
History
Initial issue Add ultra temp grade and 28-pin DIP package type Add SI grade
Issue Date
February 2, 2001 November 7, 2001 Ju |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |