|
NTE2543 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Transistor Darlington / Motor/relay Driver». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2543 | NTE |
Silicon NPN Transistor Darlington / Motor/Relay Driver |
Это результат поиска, начинающийся с "2543", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2543 | AllegroMicroSystems |
PROTECTED QUAD POWER DRIVER 2543
UDN/UDQ2543B
OUT4 K OUT3 GROUND GROUND OUT2 K OUT1 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 IN 4 IN3 ENABLE GROUND GROUND V CC IN 2 IN 1
PROTECTED QUAD POWER DRIVER
Providing interface between low-level logic and power loads to 100 W, the UDx2543B and UDx2543EB quad power dri |
|
2SC2543 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial 2SC2396, 2SC2543, 2SC2544
Silicon NPN Epitaxial
Application
• Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SA1025, 2SA1081 and 2SA1082
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1
2SC2396, 2SC2543, 2SC2544
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collec |
|
2SC2543 | Renesas |
Silicon NPN Epitaxial To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003 |
|
2SK2543 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor 2SK2543
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)
2SK2543
Switching Regulator Applications
Unit: mm
l Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.)
l High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.)
l Low leakage current
: |
|
54FCT162543 | Integrated Device Technology |
IDT54FCT162543 |
|
825433 | Framatome |
amp connector |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |