|
NTE2551 даташитФункция этой детали – «SilICon Complementary Transistors Darlington Driver / Switch». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2551 | NTE |
Silicon Complementary Transistors Darlington Driver / Switch NTE2551 (NPN) & NTE2552 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Driver, Switch
Features: D High DC Current Gain D Low Saturation Voltage D High Current Capacity and Wide ASO D Isolated TO220 Type Package Applications: D Motor Drivers D Printer Hammer Drivers D Relay Drivers D Voltage Regulator Control Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V |
Это результат поиска, начинающийся с "2551", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC2551 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2551
2SC2551
Hight Voltage Control Applications Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications Cathode Ray Tube Brightness Control Applications
Industrial Applications Unit: mm
• High voltage: VCBO = 300 V, VCEO |
|
2SD2551 | Toshiba Semiconductor |
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE TRANSISTOR 2SD2551
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SD2551
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV
l High Voltage
: VCBO = 1700 V
l Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 5.0 V (Max.)
l High Speed
: tf = 1.0 µs (Max.)
l Bult-in Damper Type
l Collector Metal |
|
2SK2551 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor 2SK2551
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)
2SK2551
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications
Unit: mm
z Low drain−source ON resistance
: RDS (ON) = 7.2 mΩ (typ.)
z High forward transfer admittance
: |Yfs| = 50 |
|
AD62551A | ESMT |
USB controller ESMT
Features
z Compliant with USB S pecification v1.1, and USB 2.0 full speed z Support I2S input and I2S output interface of master mode Sampling frequencies(Fs):48kHz z Support recording function z Supports Win Me//2000/XP and MacOS z True plug-and-play application, no drive |
|
AD82551A | Elite Semiconductor Memory Technology |
Stereo Digital Audio Amplifier ESMT
Features
z 16/18/20/24-bit input with I S data format z PSNR & DR (A-weighting) Loudspeaker: 98dB (PSNR), 102dB (DR) Headphone: 87dB (PSNR), 96dB (DR) z Multiple sampling frequencies (Fs) 8kHz, 12kHz, 16kHz, 22.05kHz, 24kHz 32kHz, 44.1kHz, 48kHz, 64kHz, 88.2kHz and 96kHz www |
|
AS9C25512M2018L | Alliance Semiconductor Corporation |
(AS9C25512M2018L / AS9C25256M2018L) 2.5V 512/256K x 18 Synchronous Dual-port SRAM September 2004 Preliminary Information
®
AS9C25512M2018L AS9C25256M2018L
2.5V 512/256K X 18 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface Features • True Dual-Port memory cells that allow simultaneous access of the same memory location • Organi |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |