DataSheet26.com


NTE2551 даташит

Функция этой детали – «SilICon Complementary Transistors Darlington Driver / Switch».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE2551 NTE
NTE
  Silicon Complementary Transistors Darlington Driver / Switch

NTE2551 (NPN) & NTE2552 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Driver, Switch Features: D High DC Current Gain D Low Saturation Voltage D High Current Capacity and Wide ASO D Isolated TO220 Type Package Applications: D Motor Drivers D Printer Hammer Drivers D Relay Drivers D Voltage Regulator Control Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2551", "NTE2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC2551 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2551 2SC2551 Hight Voltage Control Applications Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications Cathode Ray Tube Brightness Control Applications Industrial Applications Unit: mm • High voltage: VCBO = 300 V, VCEO
pdf
2SD2551 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE TRANSISTOR

2SD2551 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SD2551 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV l High Voltage : VCBO = 1700 V l Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 5.0 V (Max.) l High Speed : tf = 1.0 µs (Max.) l Bult-in Damper Type l Collector Metal
pdf
2SK2551 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor

2SK2551 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) 2SK2551 Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 7.2 mΩ (typ.) z High forward transfer admittance : |Yfs| = 50
pdf
AD62551A ESMT
ESMT

USB controller

ESMT Features z Compliant with USB S pecification v1.1, and USB 2.0 full speed z Support I2S input and I2S output interface of master mode Sampling frequencies(Fs):48kHz z Support recording function z Supports Win Me//2000/XP and MacOS z True plug-and-play application, no drive
pdf
AD82551A Elite Semiconductor Memory Technology
Elite Semiconductor Memory Technology

Stereo Digital Audio Amplifier

ESMT Features z 16/18/20/24-bit input with I S data format z PSNR & DR (A-weighting) Loudspeaker: 98dB (PSNR), 102dB (DR) Headphone: 87dB (PSNR), 96dB (DR) z Multiple sampling frequencies (Fs) 8kHz, 12kHz, 16kHz, 22.05kHz, 24kHz 32kHz, 44.1kHz, 48kHz, 64kHz, 88.2kHz and 96kHz www
pdf
AS9C25512M2018L Alliance Semiconductor Corporation
Alliance Semiconductor Corporation

(AS9C25512M2018L / AS9C25256M2018L) 2.5V 512/256K x 18 Synchronous Dual-port SRAM

September 2004 Preliminary Information ® AS9C25512M2018L AS9C25256M2018L 2.5V 512/256K X 18 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface Features • True Dual-Port memory cells that allow simultaneous access of the same memory location • Organi
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты