DataSheet26.com


NTE2562 даташит

Функция этой детали – «SilICon Complementary Transistors High Current Switch».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE2562 NTE
NTE
  Silicon Complementary Transistors High Current Switch

NTE2562 (NPN) & NTE2563 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Current Switch Description: The NTE2562 (NPN) and NTE2563 (PNP) are silicon complementary transistors is a TO220 type package designed for use as a high current switch. Typical application include relay drivers, high– speed inverters, converters, etc. Features: D Low Collector–Emitter Saturation Voltage D High Current Capacity Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . .
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2562", "NTE2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC2562 Toshiba
Toshiba

Silicon NPN Epitaxial Type

w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf
2SC2562 Toshiba
Toshiba

(2SCxxxx) Transistor

( DataSheet : )
pdf
2SC2562 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2562 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA1012 ·Low saturation voltage ·High speed switching time APPLICATIONS ·High current switching applications PINNIN
pdf
2SD2562 ETC
ETC

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

Equivalent circuit C Darlington 2SD2562 sElectrical Characteristics Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions VCB=150V VEB=5V IC=30mA VCE=4V, IC=10A IC=10A, IB=10mA IC=10A, IB=10mA VCE=12V, IE=–2A VCB=10V, f=1MHz 2SD2562 100max 100max 150min 5000min�
pdf
2SD2562 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon NPN Darlington Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2562 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 150V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 5000( Min.) @(IC= 10A, VCE= 4V) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat
pdf
2SK2562-01R Fuji Electric
Fuji Electric

N-channel MOS-FET

2SK2562-01R FAP-II Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof N-channel MOS-FET 800V 2,2Ω 7A 80W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC conv
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты