|
NTE2562 даташитФункция этой детали – «SilICon Complementary Transistors High Current Switch». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2562 | NTE |
Silicon Complementary Transistors High Current Switch NTE2562 (NPN) & NTE2563 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Current Switch
Description: The NTE2562 (NPN) and NTE2563 (PNP) are silicon complementary transistors is a TO220 type package designed for use as a high current switch. Typical application include relay drivers, high– speed inverters, converters, etc. Features: D Low Collector–Emitter Saturation Voltage D High Current Capacity Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "2562", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC2562 | Toshiba |
Silicon NPN Epitaxial Type w
w
.D w
t a
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2SC2562 | Toshiba |
(2SCxxxx) Transistor ( DataSheet : )
|
|
2SC2562 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC2562
DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA1012 ·Low saturation voltage ·High speed switching time APPLICATIONS ·High current switching applications
PINNIN |
|
2SD2562 | ETC |
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor Equivalent circuit
C
Darlington
2SD2562
sElectrical Characteristics
Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions VCB=150V VEB=5V IC=30mA VCE=4V, IC=10A IC=10A, IB=10mA IC=10A, IB=10mA VCE=12V, IE=–2A VCB=10V, f=1MHz 2SD2562 100max 100max 150min 5000min� |
|
2SD2562 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Darlington Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD2562
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 150V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 5000( Min.) @(IC= 10A, VCE= 4V) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat |
|
2SK2562-01R | Fuji Electric |
N-channel MOS-FET 2SK2562-01R
FAP-II Series
> Features
High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
N-channel MOS-FET
800V
2,2Ω
7A
80W
> Outline Drawing
> Applications
Switching Regulators UPS DC-DC conv |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |