|
NTE2590 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Transistor High Voltage Amp/switch». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2590 | NTE |
Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch NTE2590 Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch
Features: D High Breakdown Voltage, High Reliability D Low Output Capacitance D Wide ASO Range Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V Emitter–Base Volta |
Это результат поиска, начинающийся с "2590", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
259001 | Littelfuse |
Hazardous Area Fuses Next
Previous
Hazardous Area Fuses
Barrier Network Fuse 242 Series
• Meets Barrier Network Standards (EN50020) for hazardous applications. • High interrupting rating. Meets the 1500A minimum. • Available in both axial lead and surface mount.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
|
|
259001 | Littelfuse |
Hazardous Area Fuses Next
Previous
Hazardous Area Fuses
Barrier Network Fuse 242 Series
• Meets Barrier Network Standards (EN50020) for hazardous applications. • High interrupting rating. Meets the 1500A minimum. • Available in both axial lead and surface mount.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
|
|
2SC2590 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planar type Power Transistors
2SC2590
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency power amplification
8.0+0.5 –0.1
Unit: mm
3.2±0.2
1.9±0.1
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Collector-base voltage (Emitter open) Collector-emitter voltage (Base open) Emitter-ba |
|
2SC2590 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SA1110 ·Excellent current IC characteristics of forward current transfer ratio hFE vs. collector ·High transition frequency f |
|
2SK2590 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK2590
Silicon N-Channel MOS FET
Preliminary
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC-DC converter, Motor Control
Outline
TO-220AB |
|
2SK2590 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK2590
DESCRIPTION ·Drain Current ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 200V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·Switching Regulators ·DC-DC Converter, ·Motor Control
ABSOLU |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |