|
NTE2598 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Transistor High Voltage / High Current». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2598 | NTE |
Silicon NPN Transistor High Voltage / High Current Switch NTE2598 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Current Switch
Features: D High Breakdown Voltage, Reliability D fast Switching Speed D Wide ASO Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1100V Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Emitter–Base Voltage, |
Это результат поиска, начинающийся с "2598", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N2598 | Solid State |
POWER RECTIFIER |
|
2SD2598 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency amplification) Transistor
2SD2598
0.15
Silicon NPN epitaxial planer type darlington
For low-frequency amplification
Unit: mm
6.9±0.1 0.7 4.0 1.05 2.5±0.1 ±0.05 (1.45) 0.8
0.5 4.5±0.1 0.45–0.05 2.5±0.1
q
q q
Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is appropriate t |
|
2SK2598 | Toshiba Semiconductor |
Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor 2SK2598
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)
2SK2598
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications
Unit: mm
z Low drain−source ON resistance
: RDS (ON) = 0.18 Ω (typ.)
z High forward transfer admittance
: |Yfs| = 13 |
|
AS4C1259883C | Austin Semiconductor |
256K x 1 DRAM w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
ASM3P2598A | ON Semiconductor |
Peak EMI Reducing Solution ASM3P2598A Peak EMI Reducing Solution
Features
• Generates a 1X low EMI optimized clock signal at the output. • Integrated loop filter components. • Operates with a 3.3 / 2.5V Supply. • Operating current less than 5mA. • CMOS design. • Input frequency range: 60MHz to |
|
ASM3P2598A | PulseCore Semiconductor |
Low Power Peak EMI Reducing Solution
October 2006
rev 0.3 Low Power Peak EMI Reducing Solution
Features
• • • • • • Generates a 1X low EMI optimized clock signal at the output. Integrated loop filter components. Operates with a 3.3 / 2.5V Supply. Operating current less than 5mA. Low |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |