|
NTE261 даташитФункция этой детали – «SilICon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE261 | NTE |
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier NTE261 (NPN) & NTE262 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low–speed switching applications. Features: D High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A D Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min @ 100mA D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 3A = 4V Max @ IC = 5A D Monoli |
Это результат поиска, начинающийся с "261", "NTE" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1K261 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
1N2610 | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
1N2610A | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
1N2611 | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
1N2611S | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
1N2612 | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |