DataSheet26.com


NTE2633 даташит

Функция этой детали – «SilICon Complementary Transistors High Frequency Video Driver».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NTE2633 NTE
NTE
  Silicon Complementary Transistors High Frequency Video Driver

NTE2633 (NPN) & NTE2634 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Frequency Video Driver Description: The NTE2633 (NPN) and NTE2634 (PNP) are silicon complementary epitaxial transistor in a TO126 type package designed for use in the buffer stage of the driver for high–resolution color graphics monitors. Features: D High Breakdown Voltage D Low Output Capacitance Absolute Maximum Ratings: Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2633", "NTE2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
26330 C&DTechnologies
C&DTechnologies

BobbinWoundSurfaceMountInductors

pdf
26331 C&DTechnologies
C&DTechnologies

BobbinWoundSurfaceMountInductors

pdf
2SC2633 Panasonic
Panasonic

Silicon NPN Power Transistor

pdf
2SD2633 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor isc Product Specification 2SD2633 DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ IC= 6A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 100V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(s
pdf
64F2633 Renesas Technology
Renesas Technology

HD64F2633

To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003
pdf
816-2633-xxx LPL Tech
LPL Tech

(816 Series) Protected Headers

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты