|
NTE2633 даташитФункция этой детали – «SilICon Complementary Transistors High Frequency Video Driver». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE2633 | NTE |
Silicon Complementary Transistors High Frequency Video Driver NTE2633 (NPN) & NTE2634 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Frequency Video Driver
Description: The NTE2633 (NPN) and NTE2634 (PNP) are silicon complementary epitaxial transistor in a TO126 type package designed for use in the buffer stage of the driver for high–resolution color graphics monitors. Features: D High Breakdown Voltage D Low Output Capacitance Absolute Maximum Ratings: Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "2633", "NTE2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
26330 | C&DTechnologies |
BobbinWoundSurfaceMountInductors |
|
26331 | C&DTechnologies |
BobbinWoundSurfaceMountInductors |
|
2SC2633 | Panasonic |
Silicon NPN Power Transistor |
|
2SD2633 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD2633
DESCRIPTION ·High DC Current Gain-
: hFE = 2000(Min)@ IC= 6A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 100V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(s |
|
64F2633 | Renesas Technology |
HD64F2633 To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003 |
|
816-2633-xxx | LPL Tech |
(816 Series) Protected Headers |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |