|
NTE3142 даташитФункция этой детали – «(nte3140 - Nte3143) Light Emitting Diode». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE3142 | NTE Electronics |
(NTE3140 - NTE3143) Light Emitting Diode NTE3140 thru NTE3143 Light Emitting Diode − 3mm
Features: D All Plastic Mold Type w/Water Clear Lens: NTE3140 (High Efficiency Red, AllGaP/GaAs) NTE3141 (Yellow Green, GalnN/GaN) NTE3142 (Yellow, AllnGaP/GaAs) NTE3143 (Orange, AllnGaP/GaAs) Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Power Dissipation, PD NTE3140, NTE3142, NTE3143 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90mW NTE3141 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "3142", "NTE3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3142 | Microsemi Corporation |
Silicon Power Rectifier |
|
2SC3142 | Sanyo Semicon Device |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Ordering number:EN1066A
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC3142
High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
Features
· FBET series. · Compact package enabling compactness of sets. · High fT and small cre (fT=750MHz typ, cre=0.6 typ).
Package Dimensions
uni |
|
2SC3142 | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
Silicon NPN transistor 2SC3142
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
高频率。 High fT.
用途 / Applications
用于普通高频放大。 High frequency general-purp |
|
2SC3142 | Kexin |
NPN Transistors SMD Type
Transistors
NPN Transistors 2SC3142
■ Features
● Collector Current Capability IC=30mA ● Collector Emitter Voltage VCEO=20V
+0.22.8 -0.1
SOT-23-3
2.9 +0.2 -0.1
0.4 +0.1 -0.1
3
12 0.95 +0.1
-0.1
1.9 +0.1 -0.2
+0.21.6 -0.1
0.55 0.4
Unit: mm 0.15 +0.02
-0.02
+0. |
|
2SK3142 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK3142
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-681A (Z) 2nd. Edition February 1999 Features
• Low on-resistance R DS(on) = 4 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
TO–220CFM
D
G 1 2 3
1. Gate |
|
3142 | Allegro MicroSystems |
SENSITIVE HALL-EFFECT SWITCHES A3141, A3142, A3143, and A3144
Sensitive Hall Effect Switches for High-Temperature Operation
Discontinued Product
These parts are no longer in production The device should not be purchased for new design applications. Samples are no longer available.
Date of status change: Octobe |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |