|
NTE322 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Transistor Rf Power Output». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE322 | NTE |
Silicon NPN Transistor RF Power Output NTE322 Silicon NPN Transistor RF Power Output
Description: The NTE322 is a silicon NPN RF power transistor in a TO202N type package designed for use in Citizen–Band and other high–frequency communications equipment operating to 30MHz. Higher breakdown voltages allow a high percentage of up–modulation in AM circuits. Features: D Output Power: 3.5W (Min) @ VCC = 13.6V D Power Gain: 11.5dB (Min) D High Collector Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CES ≥ 65V D DC Current Gain: Linear to 500mA Absolute Maximum Ratings: C |
|
NTE3220 | NTE |
Optoisolator NPN Transistor Output NTE3220 & NTE3221
Optoisolator NPN Transistor Output
Features: D Current Transfer Ratio: CTR: 50% Min @ IF = 5mA, VCE = 5V D High Input–Output Isolation Voltage: VISO = 5000Vrms D Compact DIP Package: NTE3220: 2–Channel Type (8–Lead DIP) NTE3221: 4–Channel Type (16–Lead DIP) Applications: D Computer Terminals D System Appliances, Measuring Instruments D Registers, Copiers, Automatic Vending Machines D Electric Home Appliances such as Fan Heaters, Etc. D Medical Instruments, Physical and Chemical Equipment D Si |
|
NTE3221 | NTE |
Optoisolator NPN Transistor Output |
|
NTE3222 | NTE |
Optoisolator NPN Transistor Output NTE3222
Optoisolator NPN Transistor Output
Description: The NTE3222 is an optically coupled isolator in a 4–Lead DIP type package containing a GaAs light emitting diode and an NPN silicon phototransistor. Features: D High Isolation Voltage D High Collector–Emitter Voltage D High Speed Switching Applications: D Power Supplies D Telephone/FAX D FA/FO Equipment D Programmable Logic Controller Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Diode Reverse Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |