|
NTE3311 даташитФункция этой детали – «Insulated Gate Bipolar Transistor N-channel Enhancement Mode /». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NTE3311 | NTE |
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch NTE3311 Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
Features: D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications: D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V Gate–Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
Это результат поиска, начинающийся с "3311", "NTE3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3311 | America Semiconductor |
(1N3305 - 1N3350) 50W Zener Diodes Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
|
1N3311 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 12V 20% 50W 2-Pin DO-5 |
|
1N3311 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
1N3311A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 12V 10% 50W 2-Pin DO-5 |
|
1N3311B | Microsemi Corporation |
SILICON 50 WATT ZENER DIODES |
|
1N3311B | NAINA SEMICONDUCTOR |
SILICON ZENER DIODE |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |